Annealing properties of open volumes in HfSiOx and HfAlOx gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams
Annealing properties of open volumes in HfSiOx and HfAlOx gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams
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使用单能正电子束研究 HfSiOx 和 HfAlOx 栅极电介质中开放体积的退火特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Yamada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Uedono;K.Ikeuchi;K.Yamabe;T.Ohdaira;M.Muramatsu;R.Suzuki;A.S.Hamid;T.Chikyow;K.Torii;K.Yamada
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HfAlOx(N) 栅极电介质中氮的掺入对抑制硼渗透的作用
影响因子：
1.4
作者：
T. Nabatame;K. Iwamoto;Katsuhiko Yamamoto;K. Tominaga;H. Hisamatsu;M. Ohno;K. Akiyama;M. Ikeda;T. Nishimura;H. Ota;T. Horikawa;A. Toriumi
通讯作者：
A. Toriumi
单能正电子束原子层沉积技术制备 Hf0.3Al0.7Ox 的表征
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. 43(11B)
影响因子：
--
作者：
A.Uedono;M.Goto;K.Higuchi;K.Shiraishi;K.Yamabe;H.Kitajima;R.Mitsuhashi;A.Horiuchi;K.Torii;T.Arikado;R.Suzuki;T.Ohdaira;K.Yamada
通讯作者：
K.Yamada
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DOI：
10.1016/0168-9002(91)90367-y
发表时间：
1991
影响因子：
1.4
作者：
R. Gregory
通讯作者：
R. Gregory
氧化/还原对α-Al2O3单晶热释光的影响
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Molnár;J. Borossay;M. Benabdesselam;P. Iacconi;D. Lapraz;K. Süvegh;A. Vértes
通讯作者：
A. Vértes
从 p 多晶硅到 HfSixOy 的硼渗透研究
影响因子：
4
作者：
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L. Colombo