Intrinsically shunted Josephson junctions with high characteristic voltage based on epitaxial NbN/TaN/NbN trilayer

Intrinsically shunted Josephson junctions with high characteristic voltage based on epitaxial NbN/TaN/NbN trilayer
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基于外延 NbN/TaN/NbN 三层的具有高特性电压的本征分流约瑟夫森结

DOI:
10.1063/5.0064733
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发表时间:
2021-10
影响因子:
4
通讯作者:
Wang Zhen
Wang Zhen
中科院分区:
物理与天体物理2区
文献类型:
--
作者:
Yan Kaixin;Zhang Lu;Wang Huiwu;Tao Yuanhe;Shi Jiasheng;Zhong Yulong;Jin Hua;Shi Weifeng;Chen Lei;Peng Wei;You Lixing;Wang Zhen

文献摘要

参考文献

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