Effects of native defects on properties of low temperature grown, non-stoichiomtric gallium nitride
Effects of native defects on properties of low temperature grown, non-stoichiomtric gallium nitride
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原生缺陷对低温生长的非化学计量氮化镓性能的影响
DOI：
10.1088/0022-3727/48/38/385101
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yu K
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yu K
研究了在 80 至 500 C 的温度下、在宽范围的 Ga:N 通量比下通过分子束外延生长的 GaN 薄膜的特性。我们发现，在低至 80°C 的生长温度下，GaN 薄膜仍然具有 c 轴择优取向的多晶柱状形态。对富 Ga 样品的软 X 射线吸收和发射以及光学吸收测量表明，存在部分占据的 Ga N 反位缺陷带，位于导带最小值以下约 1.2 eV 处。在这种 LTMBE 富 Ga GaN 中观察到的 P 型电导率与部分占据的缺陷带内的输运一致。
The properties of GaN thin films grown by molecular beam epitaxy at temperatures from 80 to 500 C under a wide range of Ga: N flux ratios are studied. We found that at growth temperatures as low as~ 80 C, GaN films still have a polycrystalline, columnar morphology with c-axis preferred orientation. Soft x-ray absorption and emission and optical absorption measurements on Ga-rich samples suggest the presence of a partially occupied Ga N antisite defect band located at~ 1.2 eV below the conduction band minimum. P-type conductivity observed in this LTMBE Ga-rich GaN is consistent with transport within this partially occupied defect band.
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DOI：
10.1116/1.4871472
发表时间：
2014-04
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
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作者：
C. Ni;F. Hong
通讯作者：
C. Ni;F. Hong
光致发光观察电子辐照半绝缘GaAs中Ga反位缺陷
DOI：
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Kuriyama;K. Yokoyama;K. Tomizawa;T. Takeuchi;Hirokazu Takahashi
通讯作者：
Hirokazu Takahashi
低温分子束外延生长砷化镓中过量砷原子的晶格位置
DOI：
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Yu;Z. Liliental
通讯作者：
Z. Liliental
通过同步辐射光电子能谱测量立方 GaN/GaAs 异质结的价带不连续性
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Ding;S. R. Barman;K. Horn;Hui Yang;B. Yang;O. Brandt;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog
低温生长 GaAs 层结晶度的破坏
影响因子：
4
作者：
Z. Liliental;W. Świder;K. Yu;J. Kortright;F. Smith;A. Calawa
通讯作者：
A. Calawa