Ferroelectric Field Effect Induced Asymmetric Resistive Switching Effect in BaTiO(3)/Nb:SrTiO(3) Epitaxial Heterojunctions.
Ferroelectric Field Effect Induced Asymmetric Resistive Switching Effect in BaTiO(3)/Nb:SrTiO(3) Epitaxial Heterojunctions.
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DOI：
10.1186/s11671-018-2513-6
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发表时间：
2018-04-13
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang W
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jia C;Li J;Yang G;Chen Y;Zhang W
在BaTiO_3/Nb：SrTiO_3外延异质结中观察到非对称阻变过程。在+8 V偏置下，从高阻状态到低阻状态的SET切换时间在10 ns的范围内，而在-8 V偏置下，从低阻状态到高阻状态的RESET切换时间在105 ns的范围内。在BaTiO 3/Nb：SrTiO 3异质界面的电子和氧空位控制的铁电极化屏蔽提出理解这种开关时间差。该开关具有快置位慢关断的特点，在某些特殊地区具有潜在的应用价值。
Asymmetric resistive switching processes were observed in BaTiO3/Nb:SrTiO3 epitaxial heterojunctions. The SET switching time from the high-resistance state to low-resistance state is in the range of 10 ns under + 8 V bias, while the RESET switching time from the low-resistance state to high-resistance state is in the range of 105 ns under − 8 V bias. The ferroelectric polarization screening controlled by electrons and oxygen vacancies at the BaTiO3/Nb:SrTiO3 heterointerface is proposed to understand this switching time difference. This switch with fast SET and slow RESET transition may have potential applications in some special regions.
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