Low temperature synthesis of SiCN nanostructures
Low temperature synthesis of SiCN nanostructures
复制标题
SiCN纳米结构的低温合成
DOI：
10.1007/s11431-009-0008-5
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发表时间：
2009-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ma XueMing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cheng WenJuan;Ma XueMing
氮化硅（SiCN）纳米线、纳米棒和纳米管因其优异的场发射和光致发光性能而受到广泛关注。这些纳米结构通常使用催化剂在高温（800-1000℃）下生长。我
Silicon carbon nitride (SiCN) nanowires, nanorods and nanotubes have gained much attention due to their excellent field emission and photoluminescence properties. These nanostructures were usually grown using catalysts at high temperature (800–1000 °C). I
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