A Review for Compact Model of Thin-Film Transistors (TFTs).
A Review for Compact Model of Thin-Film Transistors (TFTs).
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薄膜晶体管（TFTS）紧凑模型的综述。
DOI：
10.3390/mi9110599
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发表时间：
2018-11-15
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Liu M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu N;Jiang W;Wu Q;Geng D;Li L;Liu M
薄膜晶体管（TFTs）由于其在显示、射频识别标签（RFID）、逻辑计算等方面的广泛应用，已经发展成为一个巨大的产业。紧凑模型在晶体管晶体管的发展和应用中起着不可缺少的作用，以弥补制造工艺和电路设计之间的差距。本综述的目的是提供具有不同活性层的tft的紧凑模型的理论描述，如多晶硅、非晶硅、有机和In-Ga-Zn-O （IGZO）半导体。特别注意的是基于表面电位的硅基tft的紧凑模型。基于对有机晶体管和IGZO晶体管中电荷输运特性和要求的理解，我们提出了基于表面电位的紧凑模型和参数提取技术。该模型可以提供准确的电路级性能预测和RFID电路设计，并通过Gummel对称性检验（GST）。最后;简要讨论了tft紧凑模型的发展前景。
Thin-film transistors (TFTs) have grown into a huge industry due to their broad applications in display, radio-frequency identification tags (RFID), logical calculation, etc. In order to bridge the gap between the fabrication process and the circuit design, compact model plays an indispensable role in the development and application of TFTs. The purpose of this review is to provide a theoretical description of compact models of TFTs with different active layers, such as polysilicon, amorphous silicon, organic and In-Ga-Zn-O (IGZO) semiconductors. Special attention is paid to the surface-potential-based compact models of silicon-based TFTs. With the understanding of both the charge transport characteristics and the requirement of TFTs in organic and IGZO TFTs, we have proposed the surface-potential-based compact models and the parameter extraction techniques. The proposed models can provide accurate circuit-level performance prediction and RFID circuit design, and pass the Gummel symmetry test (GST). Finally; the outlook on the compact models of TFTs is briefly discussed.
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