FIB-Assisted Fabrication of Single Tellurium Nanotube Based High Performance Photodetector.
FIB-Assisted Fabrication of Single Tellurium Nanotube Based High Performance Photodetector.
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DOI：
10.3390/mi13010011
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发表时间：
2021-12-22
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Huang R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu W;Lu Y;Lei W;Sui F;Ma R;Qi R;Huang R
纳米级碲（Te）材料因其出色的光电性能而在先进光电领域具有广阔的前景。在这项工作中，通过聚焦离子束（FIB）辅助技术制备了基于单个碲纳米管（NT）的高性能光电纳米器件。单个Te NT光电探测器表现出1.65 × 104 AW−1的高光响应度和5.0 × 106%的高光电导增益，这为进一步的光电器件应用展现了巨大的前景。
Nanoscale tellurium (Te) materials are promising for advanced optoelectronics owing to their outstanding photoelectrical properties. In this work, high-performance optoelectronic nanodevice based on a single tellurium nanotube (NT) was prepared by focused ion beam (FIB)-assisted technique. The individual Te NT photodetector demonstrates a high photoresponsivity of 1.65 × 104 AW−1 and a high photoconductivity gain of 5.0 × 106%, which shows great promise for further optoelectronic device applications.
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