Vacuum ultraviolet photochemical selective area atomic layer deposition of Al2O3 dielectrics
Vacuum ultraviolet photochemical selective area atomic layer deposition of Al2O3 dielectrics
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Al2O3 电介质的真空紫外光化学选区原子层沉积
DOI：
10.1063/1.4905887
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Chalker P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chalker P
报道了Al{sub2}O{sub3}薄膜的光化学原子层沉积，并利用该工艺实现了薄膜的面选择沉积。利用闭合真空紫外光(VUV)光源在60℃下激发分子氧和三甲基铝沉积薄膜，原位QCM和沉积后椭圆偏振测量均表明沉积速率随辐照时间呈饱和关系。选择性区域沉积是通过将真空紫外光通过金属化的氟化镁光刻掩模来实现的，并且沉积在衬底的照明区和掩蔽区的选择性是UV曝光时间的对数函数。形成气退火后的Al{sub2}O{sub3}薄膜在1 MHz频率下的介电常数为8-10，与传统的热ALD方法制备的薄膜相似。
We report the photochemical atomic layer deposition of Al{sub 2}O{sub 3} thin films and the use of this process to achieve area-selective film deposition. A shuttered vacuum ultraviolet (VUV) light source is used to excite molecular oxygen and trimethyl aluminum to deposit films at 60°C. In-situ QCM and post-deposition ellipsometric measurements both show that the deposition rate is saturative as a function of irradiation time. Selective area deposition was achieved by projecting the VUV light through a metalized magnesium fluoride photolithographic mask and the selectivity of deposition on the illuminated and masked regions of the substrate is a logarithmic function of the UV exposure time. The Al{sub 2}O{sub 3} films exhibit dielectric constants of 8 – 10 at 1 MHz after forming gas annealing, similar to films deposited by conventional thermal ALD.
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