Carrier extraction from GaSb quantum rings in GaAs solar cells using direct laser excitation
Carrier extraction from GaSb quantum rings in GaAs solar cells using direct laser excitation
复制标题
使用直接激光激发从 GaAs 太阳能电池中的 GaSb 量子环中提取载流子
DOI：
10.1049/iet-opt.2013.0062
复制
发表时间：
2014
影响因子：
1.6
通讯作者：
James J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
James J
作者报告了嵌入GaAs单结太阳能电池有源区的II型GaSb量子环（QR）的空穴逃逸机制分析。当使用激发能量低于GaAs基质带隙的1064 nm红外激光激发太阳能电池时，直接在GaSb QR内产生光生电子-空穴对。QR光电流表现出线性依赖于几十年的激发强度。热激活能被发现是弱依赖于入射光的水平，并增加了几个毫电子伏以上的几个订单的激发强度。当使用1064 nm的激光，入射功率密度为2.6 W cm-2，直接探测时，作者的QR中的相对吸收量为每层1.4 × 10 - 4。计算出空穴的热逃逸速率为1011 ~ 1012 s −1，比辐射复合速率109 s −1快得多。这种行为是有前途的聚光太阳能电池的发展，并有可能提高太阳能电池的效率下，一个强大的太阳能集中。
The authors report on the analysis of the hole escape mechanisms from type‐II GaSb quantum rings (QRs) embedded within the active region of a GaAs single junction solar cell. When the solar cell is excited by using a 1064 nm infrared laser with excitation energy lower than the bandgap of the GaAs matrix, photogenerated electron–hole pairs are created directly within the GaSb QRs. The QR photocurrent exhibits a linear dependence on the excitation intensity over several decades. The thermal activation energy was found to be weakly dependent on the incident light level and increased by only a few meV over several orders of excitation intensity. The magnitude of the relative absorption in the author's QRs when directly probed by using a 1064 nm laser with an incident power density of ∼ 2.6 W cm−2is found to be ∼ 1.4 × 10−4per layer. The thermal escape rate of the holes was calculated and found to be ∼ 1011to 1012s−1, which is much faster than the radiative recombination rate 109s−1. This behaviour is promising for concentrator solar cell development and has the potential to increase solar cell efficiency under a strong solar concentration.
登录
查看更多内容
GaSb/GaAs 量子环太阳能电池的增强红外光响应
影响因子：
4
作者：
Carrington P
通讯作者：
Carrington P
影响因子：
3.2
作者：
Hwang, Jinyoung;Martin, Andrew J.;Phillips, Jamie D.
通讯作者：
Phillips, Jamie D.
用于聚光光伏发电的量子点增强太阳能电池的表征
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Photovoltaic Specialists Conference
影响因子：
--
作者：
S. Hubbard;C. Bailey;Ryne Aguinaldo;S. Polly;D. Forbes;R. Raffaelle
通讯作者：
R. Raffaelle
InAs/GaAs 自组织量子点激光器中的模态增益和激光态
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Fry;L. Harris;S. Parnell;J. Finley;A. D. Ashmore;D. Mowbray;M. S. Skolnick;M. Hopkinson;G. Hill;J. Clark
通讯作者：
J. Clark
高品质 II 型 GaSb/GaAs 量子环堆叠层的长波长光致发光
影响因子：
3.8
作者：
Carrington P
通讯作者：
Carrington P