A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes
A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes
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一种具有新颖工作模式的T形SOI隧道场效应晶体管
DOI：
10.1109/jeds.2019.2947695
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发表时间：
2019-10
影响因子：
2.3
通讯作者：
Zhao Qing-Tai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Chenhe;Ren Qinghua;Chen Zhixi;Zha Lantian;Liu Chang;Liu Qiang;Yu Wenjie;Liu Xinke;Zhao Qing-Tai
提出了一种新型的T型绝缘体上硅隧穿场效应晶体管。非对称源漏结构可以有效地抑制双极开关。导通电流（$\text{I}_{\
We present a novel T-shaped tunneling field-effect transistor (TFET) on Si-on-insulator (SOI). The asymmetric source-drain structure can effectively suppress the ambipolar switching. The on-current ( $\text{I}_{\
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DOI：
10.1109/ulis.2011.5757974
发表时间：
2011-03
期刊：
Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon
影响因子：
--
作者：
T. Baldauf;A. Wei;R. Illgen;S. Flachowsky;T. Herrmann;T. Feudel;J. Hontschel;M. Horstmann;W. Klix;R. Stenzel
通讯作者：
T. Baldauf;A. Wei;R. Illgen;S. Flachowsky;T. Herrmann;T. Feudel;J. Hontschel;M. Horstmann;W. Klix;R. Stenzel
影响因子：
3.5
作者：
Myeongwon Lee;Jamin Koo;Eun-ae Chung;D. Jeong;Yong-Seo Koo;Sangsig Kim
通讯作者：
Myeongwon Lee;Jamin Koo;Eun-ae Chung;D. Jeong;Yong-Seo Koo;Sangsig Kim
DOI：
10.1109/biocas.2017.8325102
发表时间：
2017-10
期刊：
2017 IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference (BioCAS)
影响因子：
--
作者：
Zhe Cao;Hong Chen;Shaojie Su;Zhihua Wang
通讯作者：
Zhe Cao;Hong Chen;Shaojie Su;Zhihua Wang
DOI：
10.1109/tbcas.2015.2416253
发表时间：
2015-04-01
影响因子：
5.1
作者：
Chen, Hong;Gao, Jiyang;Wang, Zhihua
通讯作者：
Wang, Zhihua
影响因子：
1.7
作者：
G. V. Luong;S. Strangio;A. Tiedemannn;S. Lenk;S. Trellenkamp;K. Bourdelle;Qing-Tai Zhao;S. Mantl
通讯作者：
G. V. Luong;S. Strangio;A. Tiedemannn;S. Lenk;S. Trellenkamp;K. Bourdelle;Qing-Tai Zhao;S. Mantl