Impact of Si cap, strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs
Impact of Si cap, strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs
复制标题
Si 帽、应变和温度对 (s)Si/sSiGe/(s)SOI 量子阱 p-MOSFET 空穴迁移率的影响
DOI：
10.1016/j.mee.2013.06.015
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发表时间：
2014
影响因子：
2.3
通讯作者：
Mantl, S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hartmann, J. -M.;Wang, X.;Zhao, Q. T.;Mantl, S.
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影响因子：
2.3
作者：
R. Minamisawa;M. Schmidt;E. D. Özben;J. Lopes;J. Hartmann;K. Bourdelle;J. Schubert;Qing-Tai Zhao;D. Buca;S. Mantl
通讯作者：
R. Minamisawa;M. Schmidt;E. D. Özben;J. Lopes;J. Hartmann;K. Bourdelle;J. Schubert;Qing-Tai Zhao;D. Buca;S. Mantl
影响因子：
3.1
作者：
O. Weber;J. Damlencourt;F. Andrieu;F. Ducroquet;T. Ernst;J. Hartmann;A. Papon;O. Renault;B. Guillaumot;S. Deleonibus
通讯作者：
O. Weber;J. Damlencourt;F. Andrieu;F. Ducroquet;T. Ernst;J. Hartmann;A. Papon;O. Renault;B. Guillaumot;S. Deleonibus
影响因子：
3.1
作者：
I. Åberg;Cait Ni Chleirigh;J. Hoyt
通讯作者：
I. Åberg;Cait Ni Chleirigh;J. Hoyt
影响因子：
4
作者：
C. Stanley;M. Holland;A. Kean;M. Stanaway;R. T. Grimes;J. M. Chamberlain
通讯作者：
C. Stanley;M. Holland;A. Kean;M. Stanaway;R. T. Grimes;J. M. Chamberlain
影响因子：
3.1
作者：
M. Cassé;L. Hutin;C. Le Royer;D. Cooper;J. Hartmann;G. Reimbold
通讯作者：
M. Cassé;L. Hutin;C. Le Royer;D. Cooper;J. Hartmann;G. Reimbold