GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 µm
GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 µm
复制标题
GaAs 上的 GaSb 量子点具有 710 meV 的高局域化能量和 1 3 µm 的发射波长
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.06.045
复制
发表时间：
2014
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Lorke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Richter;J. Strassner;Th.H. Loeber;H. Fouckhardt;T. Nowozin;L. Bonato;D. Bimberg;D. Braam;A. Lorke
登录
查看更多内容
II 型 GaSb/GaAs 量子环的室温电致发光
影响因子：
2.6
作者：
Wei;Meng;S. Wu;Shih
通讯作者：
Shih
影响因子：
4
作者：
T. Nowozin;L. Bonato;A. Högner;A. Wiengarten;D. Bimberg;Wei-Hsun Lin;Shih-Yen Lin;C. Reyner;B. Liang;D. Huffaker
通讯作者：
T. Nowozin;L. Bonato;A. Högner;A. Wiengarten;D. Bimberg;Wei-Hsun Lin;Shih-Yen Lin;C. Reyner;B. Liang;D. Huffaker
影响因子：
4
作者：
Ep Erwin Smakman;J. Garleff;R. Young;M. Hayne;P. Rambabu;P. Koenraad
通讯作者：
Ep Erwin Smakman;J. Garleff;R. Young;M. Hayne;P. Rambabu;P. Koenraad
高品质 II 型 GaSb/GaAs 量子环堆叠层的长波长光致发光
影响因子：
3.8
作者：
Carrington P
通讯作者：
Carrington P
影响因子：
3.7
作者：
Hatami, F;Grundmann, M;Alferov, ZI
通讯作者：
Alferov, ZI