In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface
In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface
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晶体与溶液界面位置和温度的原位监测系统
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Fujiwara et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.Sazaki;Y.Azuma;S.Miyashita;N.Usami;T.Ujihara;K.Fujiwara et al.
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实时测量GaP中的LPE增长率
影响因子：
1.8
作者：
Y. Inatomi;K. Kuribayashi
通讯作者：
K. Kuribayashi
在成分梯度晶体上生长具有均匀成分 (x=0.02) 的富 Ge SixGe1−x 单晶，用作 GaAs 太阳能电池
影响因子：
1.8
作者：
K. Nakajima;S. Kodama;S. Miyashita;G. Sazaki;S. Hiyamizu
通讯作者：
S. Hiyamizu
直接观察 GaP 中 LPE 的生长
影响因子：
1.8
作者：
Y. Inatomi;K. Kuribayashi
通讯作者：
K. Kuribayashi
直接观察 GaP 衬底上 GaAs 的 LPE 异质生长
影响因子：
1.8
作者：
A. Tanaka;N. Izumi;M. Kimura;T. Sukegawa
通讯作者：
T. Sukegawa
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影响因子：
1.8
作者：
S. Kodama;Y. Furumura;K. Kinoshita;H. Kato;S. Yoda
通讯作者：
S. Yoda