Shallow Si N + P junction diodes realized via molecular monolayer doping
Shallow Si N + P junction diodes realized via molecular monolayer doping
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通过分子单层掺杂实现浅层Si N P结二极管
DOI：
10.1016/j.mee.2018.02.008
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
Astha Tapriya, Brian Novak
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Astha Tapriya, Brian Novak
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用于硅太阳能电池钝化隧道接触的硅化镍金属化
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
Photovoltaic Specialists Conference
影响因子：
--
作者：
Alexander Marshall;K. Florent;Astha Tapriya;Benjamin G. Lee;S. Kurinec;D. Young
通讯作者：
D. Young
p-n结电流-电压特性的统一模型
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Cristea
通讯作者：
M. Cristea
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DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Hillard;R. Mazur;W. Alexander;C. Ye;M. Benjamin;J. Borland
通讯作者：
J. Borland
共形、低损伤浅结技术 (Xj~5nm)，具有优化 FinFET 触点，作为 14nm 节点以上的解决方案
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
--
作者：
I. Ok;K. Ang;C. Hobbs;R. Baek;C. Kang;J. Snow;P. Nunan;S. Nadahara;P. Kirsch;R. Jammy
通讯作者：
R. Jammy