High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications
High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications
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高 dV/dt 抗扰度 MOS 控制晶闸管，采用双可变横向掺杂技术，适用于电容器放电应用
DOI：
10.1088/1674-1056/23/7/077307
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发表时间：
2014-05
影响因子：
1.7
通讯作者：
Zhang Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Wan-Jun;Sun Rui-Ze;Peng Chao-Fei;Zhang Bo
建立了金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(MCT)的dv/dt性能分析模型。结果表明，除了前人报道的P井电阻外，MCT中还存在场外场效应晶体管的沟道电阻
An analysis model of the dV/dt capability for a metal—oxide—semiconductor (MOS) controlled thyristor (MCT) is developed. It is shown that, in addition to the P-well resistance reported previously, the existence of the OFF-FET channel resistance in the MCT
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DOI：
10.1109/tdei.2007.4286527
发表时间：
2007-08
影响因子：
3.1
作者：
J. Qiu;Kefu Liu;Yifan Wu
通讯作者：
J. Qiu;Kefu Liu;Yifan Wu
影响因子：
3.1
作者：
V. Temple
通讯作者：
V. Temple
影响因子：
6.7
作者：
P. Venkataraghavan;B. Baliga
通讯作者：
P. Venkataraghavan;B. Baliga
影响因子：
1.5
作者：
T. Yokoo;K. Saiki;K. Hotta;W. Jiang
通讯作者：
T. Yokoo;K. Saiki;K. Hotta;W. Jiang
影响因子：
20.6
作者：
Jiang, WH;Yatsui, K;Panchenko, A
通讯作者：
Panchenko, A