Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
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通过 GaAs/AlGaAs 量子阱中的光选通调整电子自旋弛豫各向异性
DOI：
10.1088/0256-307x/33/10/107802
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发表时间：
2016-10
影响因子：
3.5
通讯作者：
Zhang, Xin-Hui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan, Teng-Fei;Ni, Hai-Qiao;Niu, Zhi-Chuan;Zhang, Xin-Hui
The carrier-density-dependent spin relaxation dynamics for modulation-doped GaAs/Al0.3Ga0.7 As quantum wells is studied using the time-resolved magneto-Kerr rotation measurements. The electron spin relaxation time and its in-plane anisotropy are studied as a function of the optically injected electron density. Moreover, the relative strength of the Rashba and the Dresselhaus spin—orbit coupling fields, and thus the observed spin relaxation time anisotropy, is further tuned by the additional excitation of a 532 nm continuous wave laser, demonstrating an effective spin relaxation manipulation via an optical gating method.
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DOI：
10.1088/0256-307x/26/6/068702
发表时间：
2009-06
期刊：
CHIN.PHYS.LETT.
影响因子：
--
作者：
Hangjun Lu;Yusong Tu;方海平;Shen Wang;Chunlei Wang
通讯作者：
Chunlei Wang
影响因子：
3.7
作者：
P. Zhang;M. W. Wu
通讯作者：
P. Zhang;M. W. Wu
影响因子：
3.7
作者：
Averkiev, NS;Golub, LE
通讯作者：
Golub, LE
影响因子：
0.7
作者：
N. Averkiev;L. Golub;M. Willander
通讯作者：
N. Averkiev;L. Golub;M. Willander
影响因子：
3.7
作者：
Kainz, J;Rössler, U;Winkler, R
通讯作者：
Winkler, R