Improvement in electrical properties of hafnium and zirconium silicates by postnitriding
Improvement in electrical properties of hafnium and zirconium silicates by postnitriding
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通过后氮化改善硅酸铪和硅酸锆的电性能
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Ohki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Ito;H.Kato;T.Nango;Y.Ohki
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辐照金属-氧化物-硅结构中的界面陷阱行为
DOI：
10.1063/1.334079
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
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作者：
Christer Jörgensen;C. Svensson;K. Rydén
通讯作者：
K. Rydén
紫外光子诱导硅酸铪和硅酸锆的几个光致发光带的机制
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
J. Appl. Phys 99
影响因子：
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作者：
T.Ito;H.Kato;Y.Ohki
通讯作者：
Y.Ohki
采用快速热 NO 氮化 SiO/sub 2/ 栅极电介质的 MOSFET 的电气特性和可靠性
DOI：
10.1109/16.381987
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Bhat;D. Wristers;Liang;Jiang Yan;H. J. Fulford;D. Kwong
通讯作者：
D. Kwong
O2 和 NO 环境中硅纳米晶的热氧化
DOI：
10.1063/1.1565172
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Scheer;R. Rao;R. Muralidhar;S. Bagchi;J. Conner;L. Lozano;C. Perez;M. Sadd;B. White
通讯作者：
B. White
使用 Zr ( O i Pr ) 2 ( thd ) 2 、 Si ( O t Bu ) 2 ( thd ) 2 和一氧化氮在 Si(100) 上沉积超薄硅酸锆薄膜
DOI：
10.1149/1.1577339
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
H. W. Chen;Tiao;D. Landheer;Xiaohua Wu;S. Moisa;G. Sproule;J. K. Kim;W. Lennard;T. Chao
通讯作者：
T. Chao