Multicolored-light emission from InGaN/GaN multiple quantum wells grown by selective-area epitaxy on patterned Si(100) substrates
Multicolored-light emission from InGaN/GaN multiple quantum wells grown by selective-area epitaxy on patterned Si(100) substrates
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在图案化 Si(100) 衬底上通过选择性区域外延生长的 InGaN/GaN 多量子阱的多色光发射
DOI：
10.1007/s10853-018-2804-4
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发表时间：
2018-08
影响因子：
4.5
通讯作者：
Li Jinmin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Qi;Yuan Guodong;Wei Tongbo;Liu Zhiqiang;Liu Wenqiang;Zhang Lu;Wei Xuecheng;Wang Junxi;Li Jinmin
GaN-based light-emitting diodes (LEDs) structures with microstripes of InGaN/GaN quantum wells were grown on the Si(111) planes of microscale V-grooved Si(100) substrate by metal–organic vapor-phase epitaxy. This microstriped microfacet structure is compo
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