DCR: Deterministic Crash Recovery for NAND Flash Storage Systems
DCR: Deterministic Crash Recovery for NAND Flash Storage Systems
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DCR：NAND 闪存存储系统的确定性崩溃恢复
DOI：
10.1109/tcad.2018.2878179
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发表时间：
2019-12
影响因子：
2.9
通讯作者：
Yong Guan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Renhai Chen;Chi Zhang;Yi Wang;Zhaoyan Shen;Duo Liu;Zili Shao;Yong Guan
NAND闪存作为存储介质已被广泛采用。在NAND闪存存储系统中，由于随时可能发生电源故障并导致数据丢失，因此崩溃恢复变得至关重要。因为使用了flash转换层（FTLs）
NAND flash memory has been widely adopted as the storage medium. As power failure may occur at any time and result in data loss, crash recovery becomes vitally important in NAND flash memory storage systems. Since flash translation layers (FTLs) are used
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期刊：
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影响因子：
--
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通讯作者：
Sanghyuk Jung;Y. Song
DOI：
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--
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通讯作者：
Li-Pin Chang;Tei-Wei Kuo;Shi-Wu Lo