Exploring the wavelength range of InP/AlGaInP QDs and application to dual-state lasing
Exploring the wavelength range of InP/AlGaInP QDs and application to dual-state lasing
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探索 InP/AlGaInP QD 的波长范围及其在双态激光中的应用
DOI：
10.1088/0268-1242/30/4/044002
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发表时间：
2015
影响因子：
1.9
通讯作者：
Shutts S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shutts S
我们探讨了金属有机气相外延生长的InP/AlGaInP量子点（QD）所提供的可访问的波长范围，并解释了生长温度和晶片设计的变化如何影响量子点状态的跃迁能量，并提高边发射激光器的性能。这些结构的自组装生长方法产生了不均匀加宽的点尺寸的多模态分布，并且通过状态填充的效应，允许获得大范围的激光波长。通过表征这些点的光学特性，我们设计并演示了双波长激光器，它们在8至63 nm之间的各种不同波长下工作。我们表明，量子点的性质允许通过改变工作温度以高达0.12 nm K− 1的速率调谐差波长，我们研究了影响竞争模式强度稳定性的因素。
We explore the accessible wavelength range offered by InP/AlGaInP quantum dots (QD) s grown by metal–organic vapour phase epitaxy and explain how changes in growth temperature and wafer design can be used to influence the transition energy of the dot states and improve the performance of edge-emitting lasers. The self assembly growth method of these structures creates a multi-modal distribution of inhomogeneously broadened dot sizes, and via the effects of state-filling, allows access to a large range of lasing wavelengths. By characterising the optical properties of these dots, we have designed and demonstrated dual-wavelength lasers which operate at various difference-wavelengths between 8 and 63 nm. We show that the nature of QDs allows the difference-wavelength to be tuned by altering the operating temperature at a rate of up to 0.12 nm K− 1 and we investigate the factors affecting intensity stability of the competing modes.
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