Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV Semiconductors with Bismuth
Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV Semiconductors with Bismuth
复制标题
用铋自组织形成 III-V 和 IV 半导体纳米结构
DOI：
10.22606/jan.2016.12005
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hiroshi Okamoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yingjie Liao;Takeshi Fukuda;Suxiao Wang;福田 武司;Takeshi Fukuda;福田 武司;Hiroshi Okamoto
登录
查看更多内容
通过分子束外延在 GaSb/GaAs(001) 层上自组装 InAs 量子点
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Journal of Crystal Growth (in press)
影响因子：
--
作者：
K.Yamaguchi;et al.
通讯作者：
et al.
三异丙基镓：非常有前途的化学束外延前驱体
影响因子：
4
作者：
P. Lane;T. Martin;R. Freer;P. Calcott;C. Whitehouse;A. C. Jones;S. Rushworth
通讯作者：
S. Rushworth
室温下量子点中 1.3 µm 区域的可调谐慢光
影响因子：
1.5
作者：
H. Gotoh;Shu‐Wei Chang;S. Chuang;H. Okamoto;Y. Shibata
通讯作者：
Y. Shibata
影响因子：
3.7
作者：
A. Portavoce;I. Berbezier;A. Ronda
通讯作者：
A. Portavoce;I. Berbezier;A. Ronda
用原位扫描隧道显微镜研究金属有机气相外延中 GaAs (0 0 1) 上 InAs 量子点的成熟
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Kremzow;M. Pristovsek;M. Kneissl
通讯作者：
M. Kneissl