A GaAs-based self-aligned stripe distributed feedback laser
A GaAs-based self-aligned stripe distributed feedback laser
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砷化镓基自对准条纹分布反馈激光器
DOI：
10.1088/0268-1242/31/8/085001
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发表时间：
2016
影响因子：
1.9
通讯作者：
Lei H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lei H
我们展示了一个基于砷化镓的自对准条纹(SAS)分布反馈(DFB)激光器的工作原理。在这种结构中，在有源区和n掺杂GaInP光电限制层之间的p掺杂AlGaAs层内建立了一阶GaInP/GaAsDFB折射率耦合DFB光栅。在此过程中，在过度生长之前，不会有含铝层暴露在大气中。AlGaAs包层的使用为上包层设计提供了充分的灵活性，这被证明是必要的，因为光栅填充和GaInP电流阻挡层的过度生长造成的限制。得到的器件在20℃-70℃的温度范围内表现出高边模抑制的单模激光效应。实验确定的光学分布和栅限制值与用Fimmwave模拟的结果符合得很好。
We demonstrate operation of a GaAs-based self-aligned stripe (SAS) distributed feedback (DFB) laser. In this structure, a first order GaInP/GaAs index-coupled DFB grating is built within the p-doped AlGaAs layer between the active region and the n-doped GaInP opto-electronic confinement layer of a SAS laser structure. In this process no Al-containing layers are exposed to atmosphere prior to overgrowth. The use of AlGaAs cladding affords the luxury of full flexibility in upper cladding design, which proved necessary due to limitations imposed by the grating infill and overgrowth with the GaInP current block layer. Resultant devices exhibit single-mode lasing with high side-mode-suppression of> 40 dB over the temperature range 20 C–70 C. The experimentally determined optical profile and grating confinement correlate well with those simulated using Fimmwave.
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