Drain bias effects on statistical variability and reliability and related subthreshold variability in 20-nm bulk planar MOSFETs
Drain bias effects on statistical variability and reliability and related subthreshold variability in 20-nm bulk planar MOSFETs
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漏极偏置对 20 nm 体平面 MOSFET 统计变异性和可靠性以及相关亚阈值变异性的影响
DOI：
10.1016/j.sse.2014.04.017
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发表时间：
2014
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wang X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang X
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DOI：
10.1109/iedm.2008.4796721
发表时间：
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期刊：
2008 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
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通讯作者：
M. Hane
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通讯作者：
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通讯作者：
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通讯作者：
A. Asenov
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发表时间：
2012
期刊：
International Electron Devices Meeting
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--
作者：
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通讯作者：
F. Nyer