Growth of Few-Layer Graphene on Sapphire Substrates by Directly Depositing Carbon Atoms
Growth of Few-Layer Graphene on Sapphire Substrates by Directly Depositing Carbon Atoms
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通过直接沉积碳原子在蓝宝石衬底上生长少层石墨烯
DOI：
10.1088/0256-307x/28/11/118101
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发表时间：
2011-10
影响因子：
3.5
通讯作者：
Liu Zhong-Liang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tang Jun;Kang Chao-Yang;Xu Peng-Shou;Yan Wen-Sheng;Li Li-Min;Wei Shi-Qiang;Liu Zhong-Liang
在分子束外延室中，通过在1300°C的衬底温度下直接沉积碳原子，在蓝宝石衬底上成功地生长了少层石墨烯（FLG）。采用反射高能衍射、拉曼光谱和近边x射线吸收精细结构对样品进行了表征，证实了石墨烯层的形成。FLG的平均畴尺寸约为29.2nm，层数约为2-3。结果表明，生长的FLG具有与退火C端α-SiC表面制备的FLG相似的乱层堆积结构。
Few-layer graphene (FLG) is successfully grown on sapphire substrates by directly depositing carbon atoms at the substrate temperature of 1300°C in a molecular beam epitaxy chamber. The reflection high energy diffraction, Raman spectroscopy and near-edge x-ray absorption fine structure are used to characterize the sample, which confirm the formation of graphene layers. The mean domain size of FLG is around 29.2 nm and the layer number is about 2–3. The results demonstrate that the grown FLG displays a turbostratic stacking structure similar to that of the FLG produced by annealing C-terminated α-SiC surface.
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