Fabrication study of GaAs mesa diodes for X-ray detection
Fabrication study of GaAs mesa diodes for X-ray detection
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X射线检测用砷化镓台面二极管的制作研究
DOI：
10.1088/1748-0221/9/08/t08005
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发表时间：
2014
影响因子：
1.3
通讯作者：
Ng J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ng J
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用于 X 射线检测的 InAs 雪崩光电二极管
影响因子：
1.3
作者：
Gomes R
通讯作者：
Gomes R
DOI：
10.1049/pbep006e
发表时间：
2005-06
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Baca;C. Ashby
通讯作者：
A. Baca;C. Ashby
一种砷化镓线阵便携式X射线装置
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Ardashev;S. Gorokhov;M. Polkovnikov;I. Lobanov;A. Vorobiev
通讯作者：
A. Vorobiev
Al/sub 0.8/Ga/sub 0.2/As雪崩光电二极管的过量噪声特性
影响因子：
2.6
作者：
B. K. Ng;J. David;R. C. Tozer;M. Hopkinson;G. Hill;G. Rees
通讯作者：
G. Rees
原型 32×32 像素砷化镓阵列的硬 X 射线测试和评估
DOI：
10.1016/s0168-9002(02)00949-x
发表时间：
2002
影响因子：
1.4
作者：
C. Erd;A. Owens;G. Brammertz;M. Bavdaz;A. Peacock;V. Lamsa;S. Nenonen;H. Andersson;N. Haack
通讯作者：
N. Haack