Multiple short pulse process for low-temperature atomic layer deposition and its transient steric hindrance
Multiple short pulse process for low-temperature atomic layer deposition and its transient steric hindrance
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低温原子层沉积的多重短脉冲工艺及其瞬态位阻
DOI：
10.1063/1.5095515
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发表时间：
2019-05
影响因子：
4
通讯作者：
Duan Yu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Haoran;Wang Zhenyu;Xu Xiangchen;Liu Yunfei;Chen Chen;Chen Ping;Hu Wei;Duan Yu
低温原子层沉积（ALD）越来越多地应用于有机光电子领域。然而，在温度窗口之外的ALD沉积仍然无法稳定地实现。在本研究中，研究了低温（80℃和30℃）下气相分子引起的瞬态位阻。为了减轻这种瞬态阻碍的影响，我们的实验采用了连续短脉冲的过程。结果，Alucone薄膜的密度从2.21g/cm(3)增加到2.37g/cm(3)，室温沉积的Al2O3薄膜的密度从2.41g/cm(3)增加到3.1g/cm(3)，增加了28.6%。总体而言，所提出的想法将有助于低温原子层沉积技术的成熟并得到广泛推广。
Low-temperature atomic layer deposition (ALD) is increasingly used in the field of organic optoelectronics. However, the deposition of ALD outside the temperature window still cannot be stably implemented. In this study, transient steric hindrance caused by gas-phase molecules at low-temperature (80 degrees C and 30 degrees C) was investigated. In order to mitigate the effect of this transient hindrance, a process of consecutive short-pulses was adopted in our experiments. As a result, the density of Alucone films increased from 2.21g/cm(3) to 2.37g/cm(3) and the density of room-temperature deposited Al2O3 films increased 28.6% from 2.41g/cm(3) to 3.1g/cm(3). Overall, the proposed idea would help low-temperature ALD become mature and be widely promoted.
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Young-Soo Lee;Dong-won Choi;Bonggeun Shong;Saeroonter Oh;Jin-seong Park
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