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Ultra High Speed Switching Devices and Carrier Dynamics in Semiconductors

Ultra High Speed Switching Devices and Carrier Dynamics in Semiconductors
半导体中的超高速开关器件和载流子动力学
批准号：
7916915
负责人：
Amnon Yariv
金额：
$9.56万
依托单位：
California Institute of Technology
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1980
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1980-02-15 至 1982-12-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=7916915&HistoricalAwards=false
关键词：
UltraSpeedSwitchingDevicesCarrier

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IDBR: A label-free biomolecular sensing instrument based on monolithic optical resonators and an optoelectronic swept-frequency semiconductor laser
  • 批准号：
    1152623
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $58.5万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Amnon Yariv
  • 依托单位：
    California Institute of Technology
Adiabatic Control of Optical Mode Localization in Hybrid Si/III-V Optoelectronic Circuits
  • 批准号：
    1028716
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $32.36万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    Amnon Yariv
  • 依托单位：
    California Institute of Technology
Current-Pumped, Amplifying, Slow Light Waveguides in Hybrid Si/III-V Platforms
  • 批准号：
    0925389
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $33.0万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Amnon Yariv
  • 依托单位：
    California Institute of Technology
SGER: Modal Control in Hybrid Si/III-V Optoelectronic Circuits
  • 批准号：
    0835106
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $7.5万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Amnon Yariv
  • 依托单位：
    California Institute of Technology
国内基金
海外基金
基于数据稀疏表示的实时G-SPEED磁共振成像技术研究
  • 批准号：
    61372024
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    金朝阳
  • 依托单位：
    杭州电子科技大学