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Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates

在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关

基本信息

批准号：
EP/N015878/1
负责人：
Peter A. Houston
金额：
$ 55.19万
依托单位：
University of Sheffield
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2016
资助国家：
英国
起止时间：
2016 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FN015878%2F1
关键词：
Integration RF Circuits Speed GaN

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Dual metal gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors with improved transconductance and reduced short channel effects

DOI：
10.1088/1361-6463/abcb34
发表时间：
2021-03-11
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.4
作者：
Pinchbeck, Joseph;Lee, Kean Boon;Houston, Peter
通讯作者：
Houston, Peter

High-Performance Enhancement-Mode p -Channel GaN MISFETs With Steep Subthreshold Swing

具有陡峭亚阈值摆幅的高性能增强型 p 沟道 GaN MISFET

DOI：
10.1109/led.2022.3152308
发表时间：
2022
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Yin Y
通讯作者：
Yin Y

Field Plate Designs in All-GaN Cascode Heterojunction Field-Effect Transistors

DOI：
10.1109/ted.2019.2897602
发表时间：
2019-02
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
Sheng Jiang;Kean-Boon Lee;Zaffar H. Zaidi;M. Uren;Martin Kuball;P. Houston
通讯作者：
Sheng Jiang;Kean-Boon Lee;Zaffar H. Zaidi;M. Uren;Martin Kuball;P. Houston

Vertical field inhomogeneity associated with threading dislocations in GaN high electron mobility transistor epitaxial stacks

与 GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中的螺纹位错相关的垂直场不均匀性

DOI：
10.1063/5.0066346
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Wohlfahrt M
通讯作者：
Wohlfahrt M

A 624 V 5 A All-GaN Integrated Cascode for Power-Switching Applications

适用于电源开关应用的 624 V 5 A 全 GaN 集成共源共栅

DOI：
10.1002/pssa.201900783
发表时间：
2020
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
0
作者：
Jiang S
通讯作者：
Jiang S

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Peter A. Houston其他文献

Elimination of Leakage in GaN-on-Diamond

消除金刚石基氮化镓中的泄漏

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
0
作者：
B. Alvarez;D. Francis;F. Faili;F. Lowe;D. Twitchen;K. B. Lee;Peter A. Houston
通讯作者：
Peter A. Houston