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Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates

在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关

基本信息

批准号：
EP/N014820/2
负责人：
Khaled Elgaid
金额：
$ 65.37万
依托单位：
CARDIFF UNIVERSITY
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2018
资助国家：
英国
起止时间：
2018 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FN014820%2F2
关键词：
Integration RF Circuits Speed GaN

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，所有资助研究的摘要都不能在GTR中找到。这通常是因为在提交提案时并不需要摘要，但可能是因为它包含了个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Quantifying Temperature-Dependent Substrate Loss in GaN-on-Si RF Technology

DOI：
10.1109/ted.2019.2896156
发表时间：
2019-04-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
Chandrasekar, Hareesh;Uren, Michael J.;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin

Miniature Mesa Extension for a Planar Submicron AlGaN/GaN HEMT Gate Formation.

DOI：
10.3390/mi13112007
发表时间：
2022-11-18
期刊：
MICROMACHINES
影响因子：
3.4
作者：
Alathbah, Moath;Elgaid, Khaled
通讯作者：
Elgaid, Khaled

GaN HEMT based technology development for millimetre wave applications

基于 GaN HEMT 的毫米波应用技术开发

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Alathbah Moath
通讯作者：
Alathbah Moath

Frequency Doubler Based on a Lateral Multi-Channel GaN Schottky Barrier Diode for 5G Technology

适用于 5G 技术的基于横向多通道 GaN 肖特基势垒二极管的倍频器

DOI：
10.1109/asdam50306.2020.9393861
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Alathbah M
通讯作者：
Alathbah M

Millimeter-wave and terahertz technology for integrated circuits

用于集成电路的毫米波和太赫兹技术

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Benakaprasad Bhavana
通讯作者：
Benakaprasad Bhavana

DOI：
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作者：
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作者：
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Khaled Elgaid其他文献

Low-Loss MIM Capacitor on Thick SiO2 Dielectric for GaN-on-Si Substrates with Standard and Elevated Top Electrode Configurations

用于具有标准和升高顶部电极配置的 GaN-on-Si 衬底的厚 SiO2 电介质上的低损耗 MIM 电容器

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
European Microwave Conference
影响因子：
0
作者：
A. Eblabla;Arathy Varghese;Hareesh Chandrashekar;M. Uren;M. Kuball;Khaled Elgaid
通讯作者：
Khaled Elgaid

Optimization and fabrication of MEMS based piezoelectric acoustic sensor for wide frequency range and high SPL acoustic application

DOI：
10.1016/j.micrna.2023.207592
发表时间：
2023-07-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Ashish Kumar;Arathy Varghese;Girraj Sharma;Manish Kumar;Gaurav K Sharma;Mahanth Prasad;Vijay Janyani;R.P. Yadav;Khaled Elgaid
通讯作者：
Khaled Elgaid