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Pulse power application of SiC power devices with ultra-low loss and high switching speed

Pulse power application of SiC power devices with ultra-low loss and high switching speed
超低损耗、高开关速度SiC功率器件的脉冲功率应用
批准号：
15K13927
负责人：
YANO Koji
金额：
$2.66万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13927/
关键词：
パワーデバイスパルスパワーSiCワイドバンドギャップ静電誘導トランジスタ高速半導体スイッチ

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DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET
一种新型栅极驱动电路，用于超低反馈电容SiC-VJFET的高速导通开关
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [N. Kikuchi, T. Ishikawa, Y. Tanaka, K. Yano]
通讯作者： K. Yano
産総研先進パワーエレクトロニクス研究センターHP(BGSIT)
AIST 先进电力电子研究中心 HP (BGSIT)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
3D stacked assembly of SiC cascode power devices
  • 批准号：
    17H03214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.23万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
A new opwerating mode of SiC-buried gate static induction transistor with untra-low on-resistance
  • 批准号：
    24560327
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.49万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
Research on the maximum performance of silicon carbide static induction devices
  • 批准号：
    18560274
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
Evaluation on the paddy dwelling chironomids in view of IPM
  • 批准号：
    02660049
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    Yamaguchi University
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