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Optical Studies of Semiconductors, Semiconductor Multiple Quantum Well Structures and Energy Transfer of Electronic and Molecular Defects in Ionic Crystals

Optical Studies of Semiconductors, Semiconductor Multiple Quantum Well Structures and Energy Transfer of Electronic and Molecular Defects in Ionic Crystals
半导体光学研究、半导体多量子阱结构以及离子晶体中电子和分子缺陷的能量转移
批准号:
8718228
负责人:
Kong-Thon Tsen
金额:
$7.96万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Continuing Grant
财政年份:
1988
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1988-03-01 至 1991-08-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
这项研究计划是在皮秒时间分辨领域 半导体的拉曼研究,半导体多量子 多量子阱结构和电子与电子的能量转移 离子晶体中的分子缺陷 该计划分为 三个子程序:(1)光激发的输运性质 半导体和半导体中的电子空穴等离子体 多量子阱结构,(2)电子-声子和声子-声子 半导体MQW结构中的相互作用和深杂质, (3)电子和分子的瞬时能量转移 碱金属卤化物的缺陷。
英文摘要
This research program is in the areas of picosecond time-resolved Raman studies of semiconductors, semiconductor multiple quantum well (MQW) structures and energy transfer of electronic and molecular defects in ionic crystals. The program is divided into three sub-programs: (1) transport properties of the photoexcited electron-hole plasma (EHP) in semiconductors and semiconductor MQW structures, (2) electron-phonon and phonon-phonon interactions and deep impurities in semiconductor MQW structures, and (3) transient energy transfer of electronic and molecular defects in alkali halides.
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会议论文
Optical Studies of High-field Electron and Hole Transport in Nitride-based Wide Bandgap Semiconductor Nanostructures
  • 批准号:
    0305147
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $15.65万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Kong-Thon Tsen
  • 依托单位:
Transient Optical Studies of Non-equilibrium Excitations in Semiconductors and Energy Transfer Processes in Ionic Crystals
  • 批准号:
    9301100
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 资助金额:
    $26.5万
  • 财政年份:
    1993
  • 负责人:
    Kong-Thon Tsen
  • 依托单位:
海外基金