Hetero-epitaxial Growth of Organic Semiconductors (Materials Research)
有机半导体的异质外延生长(材料研究)
基本信息
- 批准号:8760877
- 负责人:
- 金额:$ 5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:1988
- 资助国家:美国
- 起止时间:1988-02-01 至 1988-07-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
New organic conductors and semiconductors are currently being synthesized chemically based upon the metal phthalocyanines. The possibility of growing these new organic semiconductor materials in thin film form by a molecular beam epitaxy method will be examined. Improved electrical properties are expected over the bulk crystalline material.
新的有机导体和半导体目前正在 基于金属酞菁化学合成。 的 生长这些新的有机半导体材料的可能性 在通过分子束外延方法形成薄膜中, 考察 预期改进的电性能超过 块状晶体材料。
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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