Ft. Monmouth Interaction: Magneto-reflectivity Study of GaAs/AlAs Quantum Wells

PI将使用反射率和磁反射率光谱 用于研究GaAs/AlAs量子威尔斯，生长在美国陆军 电子设备和技术实验室（EDTL），在合作 和米特拉·杜塔医生一起 一名研究生将参加 样品生长过程中，在EDTL，以及在一些 在那里进行的实验。 建议的目标 本文的工作是确定GaAs/AlAs量子点的一些参数 威尔斯。 具体而言，我们打算衡量：（a） 能带结构上的限制和应变，（B）电子 威尔斯内的有效质量，以及（c）激子结合能。 这些参数对于电子器件的设计和建模至关重要 包含这些异质结构的器件。 因为没有磁电机- 光学设置是在EDTL可用，我们希望这个联合项目 将有助于那里的晶体生长和表征工作。

The PI will use reflectivity and magneto-reflectivity spectroscopies for the study of GaAs/AlAs quantum wells, grown at the U.S. Army Electronic Devices and Technology Laboratory (EDTL), in collaboration with Dr. Mitra Dutta. A graduate student will participate in the sample growth process, at EDTL, as well as in some of the characterization experiments there. The objective of the proposed work is to determine a number of parameters of GaAs/AlAs quantum wells. Specifically we intend to measure: (a) the effect of confinement and strain on the band structure, (b) the electron effective mass inside the wells, and (c) exciton binding energies. These parameters are crucial for the design and modeling of electronic devices that incorporate these heterostructures. Since no magneto- optical set-up is available at EDTL, we hope that this joint project will help the crystal growth and characterization effort there.