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Fort Monmouth: Optical Studies of Novel N-typed Modulation Doped GaAs/A1As and A1As/A1GaAs Quantum Well Structures
Fort Monmouth：新型 N 型调制掺杂 GaAs/A1As 和 A1As/A1GaAs 量子阱结构的光学研究
基本信息
- 批准号：9311835
- 负责人：
- 金额：$ 6.84万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1993
- 资助国家：美国
- 起止时间：1993-09-01 至 1996-08-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
9311835 Petrou We propose a magneto-optical study of the following two semiconductor microstructures: (a) GaAs/ALAs quantum wells dopes n-type in the A1As barriers. We plan to investigate structures for which th lowest conduction subband lies a few meV below the Silicon donors. (b) ALAs/ALGaAs quantum wells doped n-type in the ALGaAs layers. We propose to investigate the properties of the two-dimensional electron gas confined in the ALAs layers. ***
我们提出了以下两种半导体微结构的磁光研究：(a)在A1As势垒中掺杂n型GaAs/ALAs量子阱。我们计划研究最低导子带比硅供体低几个meV的结构。(b) ALGaAs层中掺杂n型的ALAs/ALGaAs量子阱。我们打算研究局限在阿拉斯层中的二维电子气体的性质。＊＊＊
项目成果
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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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