The Structure and Reactivity of Semiconductor Surfaces in Etching and Deposition

蚀刻和沉积中半导体表面的结构和反应性

• 批准号: 8815757
• 负责人: Thomas Mayer
• 金额: $ 20.98万
• 依托单位: University of North Carolina at Chapel Hill
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1989-01-01 至 1991-06-30
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8815757&HistoricalAwards=false
• 关键词: Structure; Reactivity; Semiconductor; Surfaces; Etching

The major theme of this research is to understand and control atomic structure and chemical reactivity of semiconductor surfaces, kinetics of reactions involved in etching, surface preparation and epitaxial deposition of crystalline semiconductors. The experimental aspects of the work will emphasize investigation of the structure and structural changes of silicon surfaces exposed to various reactive chemical environments (e.g., adsorption site geometries, reconstruction and stabilization of the silicon 100 surface exposed to halogen atoms). Techniques used in this portion of the work include: low energy electron diffraction impact collision ion scattering spectroscopy. The second category of experiments will focus on the thermal reactions that occur on semiconductor surfaces, measuring the rates and energetics of the reactions. The influence of surface structure on chemical reactions will be studied using temperature programmed desorption.

本研究的主题是了解和 控制半导体的原子结构和化学反应性 表面，蚀刻反应动力学，表面 晶体的制备和外延沉积 半导体 这项工作的实验方面将 注重结构和结构变化的考察 硅表面暴露于各种反应性化学物质 环境（例如，吸附位置几何形状，重建 以及暴露于卤素的硅100表面的稳定化 原子）。 这部分工作中使用的技术包括： 低能电子衍射碰撞离子散射 谱 第二类实验将侧重于 发生在半导体表面上的热反应， 测量反应的速率和能量。 的 表面结构对化学反应的影响， 使用程序升温脱附进行研究。