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Semiconductor Surface Structure and Reactivity in Plasma Assisted Etching Environments (Materials Research)

Semiconductor Surface Structure and Reactivity in Plasma Assisted Etching Environments (Materials Research)
等离子体辅助蚀刻环境中的半导体表面结构和反应性（材料研究）
批准号：
8511332
负责人：
Thomas Mayer
金额：
$29.0万
依托单位：
University of North Carolina at Chapel Hill
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1985
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1985-11-15 至 1989-10-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8511332&HistoricalAwards=false
关键词：
SemiconductorSurfaceStructureReactivityPlasma

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The Structure and Reactivity of Semiconductor Surfaces in Etching and Deposition
Ion-Induced Surface Reactions of Electronic Materials (Materials Research)
Gene Action and the Development of Pigment Patterns in Mice
  • 批准号：
    7925693
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $3.96万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    Thomas Mayer
  • 依托单位：
    Rider University
Gene Action Mechanisms in the Development of Mammalian Pigmentary Patterns
  • 批准号：
    7603611
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $6.66万
  • 财政年份：
    1976
  • 负责人：
    Thomas Mayer
  • 依托单位：
    Rider University
国内基金
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  • 依托单位：
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    41974039
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  • 依托单位：
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基于surface hopping方法探索有机半导体中激子解体机制
  • 批准号：
    LY19A040007
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  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    孙震
  • 依托单位：
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  • 批准号：
    11574379
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    73.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    姬忠庆
  • 依托单位：
    中国科学院物理研究所