MOS Analog VLSI Design, Indo - U.S. Conference and Workshop,New Delhi, India, January 1991, Group Travel Award in Indian Currency.

MOS 模拟 VLSI 设计，印度 - 美国会议和研讨会，印度新德里，1991 年 1 月，印度货币团体旅行奖。

• 批准号: 9011049
• 负责人: Robert Bowman
• 金额: $ 1.38万
• 依托单位: University of Rochester
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1990-12-15 至 1991-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9011049&HistoricalAwards=false
• 关键词: MOS; Analog; VLSI; Design; Indo

Description: This project provides funding for four U.S. scientists to participate in a five day conference in New Delhi, India in the second week of January 1991. The conference will focus on MOS Analog VLSI Circuit Engineering. The Indian organizer is Dr. A.B. Bhattacharyya, Chairman, Center for Applied research in Electronics at the Indian Institute of Technology, New Delhi. Topics to be covered will include: CMOS process technology and analog circuits; MOS device modeling; sensors and transducers micropower design; conversion circuits; filters; design methods and automation; mixed mode simulation; automated physical layout; and emerging research topics. Scope: The primary emphasis in this conference is on bringing researchers in academia with technical people engaged in research and development in industry and to address questions in design and automation. In addition, areas where potential collaboration can result and would be beneficial will be identified. A number of U.S. electronic companies with branches in India will be represented in the conference.

描述：该项目为四个美国项目提供资金。 科学家们将参加在纽约举行的为期五天的会议 1991年1月的第二周，印度德里。 的 会议将集中在MOS模拟VLSI电路 工程. 印度组织者是A.B.博士。 Bhattacharyya，印度应用研究中心主席 印度理工学院的电子学，新 德里 将涵盖的主题包括：CMOS工艺 工艺和模拟电路; MOS器件建模; 传感器和换能器微功耗设计;转换 电路;滤波器;设计方法和自动化;混合 模式仿真;自动化物理布局;和新兴的 研究课题。 范围：本次会议的主要重点是 把学术界的研究人员和技术人员 从事工业研究和开发， 解决设计和自动化中的问题。 此外，本发明还提供了一种方法， 可能产生潜在合作的领域， 将被发现是有益的。 一些美国电子 在印度设有分支机构的公司将派代表参加 会议