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Japan STA Program: Silicon Low Temperature Atomic Layer Epitaxy
日本STA计划：硅低温原子层外延
基本信息
- 批准号：9206792
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1992
- 资助国家：美国
- 起止时间：1992-06-15 至 1993-12-15
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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