Electromigration of Metals on the Silicon Surface

硅表面金属的电迁移

基本信息

  • 批准号:
    9223764
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 14.85万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1993-08-01 至 1997-07-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

9223764 Nogami Fundamental aspects of surface electromigration(SE) of metals on silicon will be studied using hot scanning tunneling microscopy(STM). The instrumentation used and experimental approach followed will allow atomic level resolution and identification of fundamental forces involved in the electromigration process. Another part of the research is to understand the effects of surface electromigration on overlayer growth, and to explore the possibility of using electromigration to control crystal growth. %%% This research is expected to provide fundamental new information about semiconductor materials which are widely used for VLSI technology. State-of-the-art surface instrumentation and methods are expected to reveal atomic scale features of surface electromigration, a phenomena thought to be related to failure of integrated circuit metal interconnect lines. The materials under study have wide applicability in electronic and optoelectronic devices, and a greater understanding of electromigration is expected to improve the performance of devices and circuits made from these materials, and may lead to improvements in the performance of integrated circuits used in computing, information processing, and telecommunications. ***
[223764] Nogami将使用热扫描隧道显微镜(STM)研究金属在硅表面电迁移的基本方面。所使用的仪器和实验方法将允许原子水平的分辨率和识别参与电迁移过程的基本力。研究的另一部分是了解表面电迁移对覆层生长的影响,并探索利用电迁移控制晶体生长的可能性。这项研究有望为广泛应用于VLSI技术的半导体材料提供基础性的新信息。最先进的表面仪器和方法有望揭示表面电迁移的原子尺度特征,这种现象被认为与集成电路金属互连线的故障有关。所研究的材料在电子和光电子器件中具有广泛的适用性,并且对电迁移的更深入了解有望改善由这些材料制成的器件和电路的性能,并可能导致用于计算,信息处理和电信的集成电路性能的改进。***

项目成果

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  • 资助金额:
    $ 14.85万
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