In-Situ Patterned Thermal Etch-Back for Fabrication of of Micro- and Nanostructures in Molecular Beam Epitaxy

用于分子束外延中微米和纳米结构制造的原位图案化热蚀刻

• 批准号: 9409925
• 负责人: Kayvan Sadra
• 金额: $ 9.44万
• 依托单位: University of Missouri-Columbia
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1994-09-01 至 1997-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9409925&HistoricalAwards=false
• 关键词: Situ; Patterned; Thermal; Etch; Back

9409925 Sadra The P.I. propose a new approach to in-situ patterning in II-V MBE. The P.I. propose to use thermal etch-back, the reverse of the growth process, as an additional degree of freedom in designing the fabrication sequence. Furthermore, we will pattern this etch-back process in-situ. Although several attempts at in-vacuu patterning in MBE have been made, 10-12 the techniques used require complex and expensive multiple-chamber systems and do not offer the full process simplification of a single-chamber in-situ technique. Here, the P.I. propose to develop the capability to perform growth, patterning, etching, and overgrowth, in one chamber, all in a fully automated manner and without removing the substrate from its growth position. The P.I. will employ two approaches to producing the pattern, depending on the desired minimum feature size. For applications requiring resolution no smaller than a few microns, we will use a laser scanning system. For fabrication of quantum wires and dots we will attempt to use natural patterning properties to produce a patterned etch-back mask. Each of these techniques offers its own possibilities and challenges, with the latter having a more exploratory nature than the former. ***

9409925 Sadra The P.I.提出了一种新的方法，在II-V MBE原位图案化。 私家侦探建议使用热回蚀，生长过程的逆过程，作为设计制造顺序的附加自由度。 此外，我们将在原位图案化此回蚀过程。 尽管已经进行了几次MBE中真空图案化的尝试，但是所使用的技术需要复杂且昂贵的多室系统，并且不能提供单室原位技术的完全工艺简化。 在这里，私家侦探。建议开发在一个腔室中进行生长、图案化、蚀刻和过度生长的能力，所有这些都以完全自动化的方式进行，并且不需要将衬底从其生长位置移除。 私家侦探将采用两种方法来产生图案，这取决于所需的最小特征尺寸。 对于要求分辨率不小于几微米的应用，我们将使用激光扫描系统。 对于量子线和量子点的制造，我们将尝试使用自然的图案化特性来产生图案化的回蚀掩模。 这些技术中的每一种都提供了自己的可能性和挑战，后者比前者更具探索性。 ***