RESEARCH INITIATION AWARD: Kinetics and Structure of Vertical Isolation for VLSI Circuits Formed by Low Temperature Oxidation of Silicon
研究启动奖:硅低温氧化形成的超大规模集成电路垂直隔离的动力学和结构
基本信息
- 批准号:9410399
- 负责人:
- 金额:$ 9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:1994
- 资助国家:美国
- 起止时间:1994-09-01 至 1997-08-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
9410399 Alford This investigation will study the low temperature oxidation of Si in contact with Cu-Silicide. The kinetics of the phenomena, characterization of the oxide layer, and use of the orientation dependence on growth rate to form vertical isolation oxides in integrated circuits shall be investigated. At room temperature Cu-silicide forms an oxide layer between the Si and silicide interface when exposed to air. The oxide layer grows to a thickness of several microns in a period of weeks. The growth kinetics, will be characterized to obtain activation energy, substrate orientation, identity of moving species (use of implanted makers), and influence of dopants and impurities. The integrity of the growth oxide will be quantified by electrical measurements (MOS capacitor structures, I-V, C-V), ion-beam analysis (composition, density, and impurities), and transmission electron microscopy (microstructure). ***
9410399阿尔福德本研究将研究与硅化铜接触的硅的低温氧化。 应研究这种现象的动力学、氧化层的特性以及利用取向对生长速率的依赖性来形成集成电路中的垂直隔离氧化物。 在室温下,Cu-硅化物在暴露于空气时在Si和硅化物界面之间形成氧化物层。 氧化层在几周内生长到几微米的厚度。 将对生长动力学进行表征,以获得激活能、衬底取向、移动物质的身份(使用植入标记)以及掺杂剂和杂质的影响。 将通过电气测量(MOS电容器结构、I-V、C-V)、离子束分析(成分、密度和杂质)和透射电子显微镜(微观结构)对生长氧化物的完整性进行量化。 ***
项目成果
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专著数量(0)
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专利数量(0)
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