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CAREER: Rare Earth-Phosphide/III-V Semiconductor High-Speed, High-Temperature Electronics
职业：稀土磷化物/III-V 半导体高速、高温电子器件
基本信息
- 批准号：9502891
- 负责人：
- 金额：$ 26万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1995
- 资助国家：美国
- 起止时间：1995-07-01 至 2000-06-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
9502891 Hwu-Sadwick Rare earth-phosphide high speed, high temperature optoelectronic devices and circuits will be studied. The growth of lattice-matched REP/III-V heterosystems will be undertaken to lay the foundation necessary to develop high speed and/or high temperature device concepts. Devices to be studied include resonant tunneling diodes and transistors and metal-based transistors. ***
9502891 Hwu-Sadwick稀土磷化物高速、高温光电器件和电路的研究。 晶格匹配的REP/III-V异质系统的生长将为开发高速和/或高温器件概念奠定必要的基础。待研究的器件包括共振隧穿二极管和晶体管以及金属基晶体管。 ***
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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