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CAREER: Rare Earth-Phosphide/III-V Semiconductor High-Speed, High-Temperature Electronics

CAREER: Rare Earth-Phosphide/III-V Semiconductor High-Speed, High-Temperature Electronics
职业：稀土磷化物/III-V 半导体高速、高温电子器件
批准号：
9502891
负责人：
Jennifer Hwu-Sadwick
金额：
$26.0万
依托单位：
University of Utah
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1995
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1995-07-01 至 2000-06-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9502891&HistoricalAwards=false
关键词：
CAREERRareEarthPhosphideIII

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
将研究9502891个Hwu-Sadwick稀土磷化物高速高温光电子器件和电路。晶格匹配的REP/III-V异质系统的发展将为发展高速和/或高温器件概念奠定必要的基础。要研究的器件包括共振隧穿二极管和晶体管以及金属基晶体管。***
英文摘要
9502891 Hwu-Sadwick Rare earth-phosphide high speed, high temperature optoelectronic devices and circuits will be studied. The growth of lattice-matched REP/III-V heterosystems will be undertaken to lay the foundation necessary to develop high speed and/or high temperature device concepts. Devices to be studied include resonant tunneling diodes and transistors and metal-based transistors. ***
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会议论文
Presidential Faculty Fellows/Presidential Early Career Awards for Scientists and Engineers (PFF/PECASE)
  • 批准号：
    9629022
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $20.0万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    Jennifer Hwu-Sadwick
  • 依托单位：
    University of Utah
Characterization of Novel Rare Earth Phosphide Compounds Lattice-matched to InP.
  • 批准号：
    9312173
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $6.0万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    Jennifer Hwu-Sadwick
  • 依托单位：
    University of Utah
Development of GaInP/GaAs and A1GaInP/GaAs HEMT, Quantum- Well and MIS/MISFET Structures for High-Frequency and Optoelectronic Device Applications (Research Planning Grant)
  • 批准号：
    9110697
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $1.8万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    Jennifer Hwu-Sadwick
  • 依托单位：
    University of Utah
国内基金
海外基金
Rare Metals（稀有金属（英文版））