Plasma Immersion Ion Implantation for Subsurface Material Synthesis

用于地下材料合成的等离子体浸没离子注入

• 批准号: 9509800
• 负责人: Nathan Cheung
• 金额: $ 30万
• 依托单位: University of California-Berkeley
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1995-09-15 至 1999-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9509800&HistoricalAwards=false
• 关键词: Plasma; Immersion; Ion; Implantation; Subsurface

9509800 Cheung The research addresses Plasma Immersion Ion Implantation for (1) buried dielectric (oxide) formation (SIMOX), (2) ion-beam mixing with simultaneous deposition and implantation to form GeSi and GeSiC systems and (3) plasma modeling with 2D effects of plasma lateral nonuniformity and ion-beaming mixing. This research emphasizes subsurface material synthesis where the implantation is not constrained by thermal equilibrium and implanted concentrations greater than solid-solubility can be performed. In addition to buried dielectrics there are variations on the technique to realize buried oxynitride (SMON) and buried semiconductor heterojunctions (Si/SiC/Si). The intent in the plasma modeling area is to relate plasma parameters to electronic device characteristics. ***

9509800 Cheung 该研究涉及等离子体浸没离子注入，用于 (1) 掩埋电介质（氧化物）形成 (SIMOX)，(2) 离子束混合同时沉积和注入以形成 GeSi 和 GeSiC 系统，以及 (3) 利用等离子体横向不均匀性和离子束混合的 2D 效应进行等离子体建模。 这项研究强调地下材料合成，其中注入不受热平衡限制，并且可以进行大于固溶度的注入浓度。 除了掩埋电介质之外，实现掩埋氮氧化物 (SMON) 和掩埋半导体异质结 (Si/SiC/Si) 的技术也有多种变化。 等离子体建模领域的目的是将等离子体参数与电子设备特性联系起来。 ***