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Research Initiation: Investigation of Semiconductor Interfaces By Ion-Beam Channeling

Research Initiation: Investigation of Semiconductor Interfaces By Ion-Beam Channeling
研究启动：通过离子束沟道研究半导体界面
批准号：
8105972
负责人：
Nathan Cheung
金额：
$4.8万
依托单位：
University of California-Berkeley
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1981
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1981-06-15 至 1983-11-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8105972&HistoricalAwards=false
关键词：
ResearchInitiationInvestigationSemiconductorInterfaces

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Plasma Immersion Ion Implantation for Subsurface Material Synthesis
  • 批准号：
    9509800
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $30.0万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    Nathan Cheung
  • 依托单位：
    University of California-Berkeley
Plasma Immersion Ion Implantation for Surface Material Synthesis
  • 批准号：
    9202993
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $50.1万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    Nathan Cheung
  • 依托单位：
    University of California-Berkeley
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