In(Ga)N (0001)-Oberflächen: Präparation und atomare/elektronische Struktur

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Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts ist es, die atomare und elektronische Struktur der wachstumsrelevanten (0001)-Oberflächen von ternärem InxGa1-xN mit verschiedenem Indium-Gehalt aufzuklären. InGaN wird als eines der wichtigsten Materialsysteme für zukünftige Anwendungen in den Bereichen Optoelektronik und Sensorik betrachtet. Die Kenntnis der InxGa1-xN Oberflächeneigenschaften ist unerlässlich für ein Verständnis der Grenzflächenstrukturen und elektronischen Eigenschaften von Nitrid-Schichtsystemen und damit auch für eine weitere technologische Entwicklung. Um dieses Ziel zu erreichen, sollen in diesem Projekt stabile Oberflächenrekonstruktionen präpariert, deren atomare Struktur und elektronische Oberflächenzustände aufgeklärt sowie die Bandverbiegung und Ladungsträgerakkumulation an der Oberfläche analysiert werden.Ein essentieller Aspekt dieser Untersuchungen betrifft die Präparation der InGaN Oberflächen unter Ultrahochvakuumbedingungen, den bisher limitierenden Faktor für die InGaN Oberflächenanalytik. Anknüpfend an unsere Voruntersuchungen wollen wir die Präparationsmethodik der thermischen Deoxidation im Vakuum erweitern, um die Stöchiometrie der sich bildenden Oberflächenstrukturen variieren zu können. Durch Angebot von elementaren Ausgangstoffen (MBE) als auch von typischen Metallorganika (MOVPE) sollen die stabilen Oberflächenstrukturen für die verschiedenen Wachstumsumgebungen gesucht werden.