In(Ga)N (0001)-Oberflächen: Präparation und atomare/elektronische Struktur

In(Ga)N (0001) 表面：制备和原子/电子结构

• 批准号: 100062439
• 负责人: Dr. Patrick Vogt
• 金额: --
• 依托单位: Standort Berlin
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/100062439?language=en
• 关键词: Ga; 0001; Oberfl; chen; Pr

Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts ist es, die atomare und elektronische Struktur der wachstumsrelevanten (0001)-Oberflächen von ternärem InxGa1-xN mit verschiedenem Indium-Gehalt aufzuklären. InGaN wird als eines der wichtigsten Materialsysteme für zukünftige Anwendungen in den Bereichen Optoelektronik und Sensorik betrachtet. Die Kenntnis der InxGa1-xN Oberflächeneigenschaften ist unerlässlich für ein Verständnis der Grenzflächenstrukturen und elektronischen Eigenschaften von Nitrid-Schichtsystemen und damit auch für eine weitere technologische Entwicklung. Um dieses Ziel zu erreichen, sollen in diesem Projekt stabile Oberflächenrekonstruktionen präpariert, deren atomare Struktur und elektronische Oberflächenzustände aufgeklärt sowie die Bandverbiegung und Ladungsträgerakkumulation an der Oberfläche analysiert werden.Ein essentieller Aspekt dieser Untersuchungen betrifft die Präparation der InGaN Oberflächen unter Ultrahochvakuumbedingungen, den bisher limitierenden Faktor für die InGaN Oberflächenanalytik. Anknüpfend an unsere Voruntersuchungen wollen wir die Präparationsmethodik der thermischen Deoxidation im Vakuum erweitern, um die Stöchiometrie der sich bildenden Oberflächenstrukturen variieren zu können. Durch Angebot von elementaren Ausgangstoffen (MBE) als auch von typischen Metallorganika (MOVPE) sollen die stabilen Oberflächenstrukturen für die verschiedenen Wachstumsumgebungen gesucht werden.

Das Ziel des Schlagenen Projekts ist es，die atomare und elektronische Struktur der wachstumsrelevanten（0001）-Oberflächen von ternärem InxGa 1-xN mit versedenem Indium-Gehalt aufzuklären. InGaN是一种在光电和传感领域具有重要应用价值的材料体系。Die Kenntnis der InxGa 1-xN Oberflächeneigenschaften ist unerlässlich für ein Verständnis der Grenzflächenstrukturen und elektronischen Eigenschaften von Nitrid-Schichtsystemen und damit auch für eine weitere technologische Entwicklung. Um dieses Ziel zu erreichen，sollen in diesem Projekt stabile Oberflächenrekonstruktionen präpariert，deren atomare Struktur und elektronische Oberflächenzustände aufgeklärt sowie die Bandverbiegung und Ladungsträgerakablation an der Oberfläche analysiert韦尔登.Ein essentieller Aspekt dieser Dieser Untersuchungen betrifft die Preparation der InGaN Oberflächen unter Ultrahochvakuumbedingungen，den bisher limitierenden Faktor für die InGaN Oberflächenanalytik.在真空中进行热脱氧的准备方法，以及各种不同的上部结构的化学计量方法，都可以使我们获得成功。分子束外延（MBE）元件的设计也是典型的金属有机化合物（MOVPE）元件的设计，它能稳定韦尔登的垂直表面结构。

项目成果

Role of nitridation on polarity and growth of InN by metal-organic vapor phase epitaxy

氮化对金属有机气相外延 InN 极性和生长的影响

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.04.034
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Duc V. Dinh;D. Skuridina;S. Solopow;M. Pristovsek;P. Vogt;M. Kneissl
• 通讯作者: M. Kneissl

Polarity determination of polar and semipolar (112¯2) InN and GaN layers by valence band photoemission spectroscopy

• DOI: 10.1063/1.4828487
• 发表时间: 2013-11
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: D. Skuridina;D. V. Dinh;B. Lacroix;P. Ruterana;M. Hoffmann;Z. Sitar;M. Pristovsek;M. Kneissl;P. Vogt

Mobility-limiting mechanisms in polar semiconductor heterostructures

• DOI: 10.1016/j.actamat.2012.02.025
• 发表时间: 2012-04-01
• 期刊: ACTA MATERIALIA
• 影响因子: 9.4
• 作者: Pandey, Saurabh;Cavalcoli, Daniela;Kneissl, Michael
• 通讯作者: Kneissl, Michael