In(Ga)N (0001)-Oberflächen: Präparation und atomare/elektronische Struktur

In(Ga)N (0001) 表面：制备和原子/电子结构

• 批准号: 100062439
• 负责人: Dr. Patrick Vogt
• 金额: --
• 依托单位: Standort Berlin
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/100062439?language=en
• 关键词: Ga; 0001; Oberfl; chen; Pr

Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts ist es, die atomare und elektronische Struktur der wachstumsrelevanten (0001)-Oberflächen von ternärem InxGa1-xN mit verschiedenem Indium-Gehalt aufzuklären. InGaN wird als eines der wichtigsten Materialsysteme für zukünftige Anwendungen in den Bereichen Optoelektronik und Sensorik betrachtet. Die Kenntnis der InxGa1-xN Oberflächeneigenschaften ist unerlässlich für ein Verständnis der Grenzflächenstrukturen und elektronischen Eigenschaften von Nitrid-Schichtsystemen und damit auch für eine weitere technologische Entwicklung. Um dieses Ziel zu erreichen, sollen in diesem Projekt stabile Oberflächenrekonstruktionen präpariert, deren atomare Struktur und elektronische Oberflächenzustände aufgeklärt sowie die Bandverbiegung und Ladungsträgerakkumulation an der Oberfläche analysiert werden.Ein essentieller Aspekt dieser Untersuchungen betrifft die Präparation der InGaN Oberflächen unter Ultrahochvakuumbedingungen, den bisher limitierenden Faktor für die InGaN Oberflächenanalytik. Anknüpfend an unsere Voruntersuchungen wollen wir die Präparationsmethodik der thermischen Deoxidation im Vakuum erweitern, um die Stöchiometrie der sich bildenden Oberflächenstrukturen variieren zu können. Durch Angebot von elementaren Ausgangstoffen (MBE) als auch von typischen Metallorganika (MOVPE) sollen die stabilen Oberflächenstrukturen für die verschiedenen Wachstumsumgebungen gesucht werden.

Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts es es and Elektronische StrukTurn der WachstumsRelationanten(0001)-OberfläChen von ternärem InxGa1-xN MIT verschiedenem Indium-Gehalal aufzuklären.InGaN也出现在WITHITW材料系统für Zukünftige Anwendungen in den Bereichen Optoelektronik and Sensorik Betrachtet中。从技术上来说，这是一种新的技术。这是一项重要的研究工作，主要内容包括以下几个方面：1.从技术分析的角度出发，提出了一种新的分析方法在此之前，我们不能用一种简单的方法来解决问题，也就是说，我们不能只用一种方法来脱氧，也不能用这种方法。在此基础上，提出了一种新型金属材料--MOVPE-Sollen模具稳定剂。

项目成果

Role of nitridation on polarity and growth of InN by metal-organic vapor phase epitaxy

氮化对金属有机气相外延 InN 极性和生长的影响

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.04.034
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Duc V. Dinh;D. Skuridina;S. Solopow;M. Pristovsek;P. Vogt;M. Kneissl
• 通讯作者: M. Kneissl

Polarity determination of polar and semipolar (112¯2) InN and GaN layers by valence band photoemission spectroscopy

• DOI: 10.1063/1.4828487
• 发表时间: 2013-11
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: D. Skuridina;D. V. Dinh;B. Lacroix;P. Ruterana;M. Hoffmann;Z. Sitar;M. Pristovsek;M. Kneissl;P. Vogt

Mobility-limiting mechanisms in polar semiconductor heterostructures

• DOI: 10.1016/j.actamat.2012.02.025
• 发表时间: 2012-04-01
• 期刊: ACTA MATERIALIA
• 影响因子: 9.4
• 作者: Pandey, Saurabh;Cavalcoli, Daniela;Kneissl, Michael
• 通讯作者: Kneissl, Michael