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Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces

Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
通过等离子体辅助退火在平坦的 SiC(0001) 表面上形成低缺陷密度石墨烯
批准号：
15H03902
负责人：
Arima Kenta
金额：
$10.65万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03902/
关键词：
グラフェンシリコンカーバイドプラズマ表面改質ウェットエッチング酸化膜プラズマ酸化SiC表面構造制御超平坦表面生産工学ナノ材料表面科学表面酸化

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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Kenta Arima, Kentaro Kawai and Mizuho Morita]
通讯作者： Kentaro Kawai and Mizuho Morita
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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [鈴木 直彦, 森本 喜隆, 金子 義幸, 廣崎 憲一, 岡崎 祐一, 有馬健太]
通讯作者： 有馬健太
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发表时间： 2017
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [Nakade Kazuki, Hirano Tomoki, Li Shaoxian, Saito Yusuke, Mori Daichi, Morita Mizuho, Kawai Kentaro, Arima Kenta]
通讯作者： Arima Kenta
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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Kenta Arima, Yoshie Kawai, Kentaro Kawai and Mizuho Morita]
通讯作者： Kentaro Kawai and Mizuho Morita
共 12 条
    Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
    • 批准号：
      19H02478
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.98万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Arima Kenta
    • 依托单位：
      Osaka University
    Challenge to create catalytic tool without any metallic elements
    • 批准号：
      18K18808
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Arima Kenta
    • 依托单位：
      Osaka University
    Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
    • 批准号：
      16K14133
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Arima Kenta
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金