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Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
通过等离子体辅助退火在平坦的 SiC(0001) 表面上形成低缺陷密度石墨烯
基本信息
- 批准号：15H03902
- 负责人：
- 金额：$ 10.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Atomic-Scale Analysis of Semiconductor Surfaces after Wet-Chemical Treatments Such as Cleaning and Polishing
清洁和抛光等湿化学处理后半导体表面的原子尺度分析
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kenta Arima;Kentaro Kawai and Mizuho Morita
- 通讯作者：Kentaro Kawai and Mizuho Morita
洗浄技術のコツ --Si表面のウェット洗浄
清洗技术技巧——硅表面湿法清洗
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木 直彦;森本 喜隆;金子 義幸;廣崎 憲一;岡崎 祐一;有馬健太
- 通讯作者：有馬健太
Formation of Etch Pits on Germanium Surfaces Loaded with Reduced Graphene Oxide in Water
水中负载还原氧化石墨烯的锗表面蚀刻坑的形成
- DOI：10.1149/07704.0127ecst
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nakade Kazuki;Hirano Tomoki;Li Shaoxian;Saito Yusuke;Mori Daichi;Morita Mizuho;Kawai Kentaro;Arima Kenta
- 通讯作者：Arima Kenta
Ion Segregation in Deliquesced Droplets of Alkali Halide Nanocrystals on SiO2 Approached by both Surface Science Techniques and Electrical Characteristics
通过表面科学技术和电学特性研究 SiO2 上碱金属卤化物纳米晶潮解液滴中的离子偏析
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kenta Arima;Yoshie Kawai;Kentaro Kawai and Mizuho Morita
- 通讯作者：Kentaro Kawai and Mizuho Morita
Enhanced Etching of Ge Surfaces in Water by Single Flakes of Graphene Catalysts
单片石墨烯催化剂对水中 Ge 表面的增强蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nakade;T. Hirano;S. Li;K. Kawai;M. Morita and K. Arima
- 通讯作者：M. Morita and K. Arima
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Arima Kenta其他文献
Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy
近常压 X 射线光电子能谱研究水蒸气与超薄 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 结构的反应性
- DOI：
10.1149/08002.0131ecst - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Arima Kenta;Hosoi Takuji;Watanabe Heiji;Crumlin Ethan J - 通讯作者：
Crumlin Ethan J
Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing
等离子辅助抛光中抛光压力和滑动速度对单晶金刚石材料去除机理的影响
- DOI：
10.1016/j.diamond.2022.108899 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya - 通讯作者：
Yamamura Kazuya
Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing
新型高效免修整抛光技术，采用等离子体辅助表面改性和修整
- DOI：
10.1016/j.precisioneng.2021.05.003 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura Kazuya - 通讯作者：
Yamamura Kazuya
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
通过原子控制湿科学创新形成氢端硅原子片
- 批准号：
19H02478 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
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Challenge to create catalytic tool without any metallic elements
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- 批准号：
18K18808 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
通过装载原子控制石墨烯的催化工具创建半导体表面
- 批准号：
16K14133 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
ミューオン・電子転換過程の高感度探索に向けたシリコンカーバイド検出器の開発
开发用于高灵敏度探索μ子-电子转换过程的碳化硅探测器
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23K22526 - 财政年份：2024
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フェムト秒レーザー改質による透明高分子材料内部への三次元炭素構造の作製とその応用
飞秒激光改性透明高分子材料内三维碳结构及其应用
- 批准号：
22KJ2678 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiCフォトニックナノ共振器を用いた高度な光制御の研究
利用碳化硅光子纳米腔进行先进光学控制的研究
- 批准号：
22KF0185 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
UVアシスト研磨における高濃度オゾン水供給の効果
供应高浓度臭氧水在紫外辅助抛光中的效果
- 批准号：
23K03618 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elucidation of the physical origin of the dominant scattering mechanism of electron mobility in SiC MOS interfaces
阐明 SiC MOS 界面中电子迁移率主要散射机制的物理起源
- 批准号：
23K03928 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of High Mobility and High Reliability SiC MOSFETs by Fluorine-Enhanced Thermal Oxidation
通过氟增强热氧化开发高迁移率和高可靠性 SiC MOSFET
- 批准号：
23K03974 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of SiC Detectors for the COMET Experiment
COMET 实验 SiC 探测器的开发
- 批准号：
22H01255 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Systematic understanding on surface processing by anodization of SiC, and its application in structural and electronic materials
系统了解SiC阳极氧化表面处理及其在结构材料和电子材料中的应用
- 批准号：
21H01670 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Electromigration for high-temperature interface control
用于高温界面控制的电迁移
- 批准号：
21K18807 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
格子欠陥制御と電気化学処理の融合による新規金属/SiC複合材料の創製
结合晶格缺陷控制和电化学加工创建新型金属/SiC复合材料
- 批准号：
21J14738 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows