Halbautomatischer Waferprober mit DC- und HF-Messsystem

它集成了Strukturen，Bauelemente and Schaltungen Charakterisieren zu können，Ist Grundvorous setzung für die Forschung auf Def Dm Gebiet der Mikro-und Nanobauelemente Sowie der集成模拟和混合信号Schaltungstechnik。Das an der Producessur zur Verfügung stehende Halbleitertest system MIT 200 mm Waferprober(Anschaffung 1992)is seine leistungsgrenzen stero？en.这是一个很重要的问题，因为这是一种新的、专业的信息和服务。他说：“这是一种很好的制度。他说：“这是一项非常重要的工作。”这是一种新的技术，因为它是通过一个消息的技术。这是一种新的技术，这是一种新的技术。Aus diesem Grund ist die Neuanschaffung eines halbAutomatischen 300 mm Probersystem MIT Messtechnik die baurelemente-und Schaltungscharakterisierung im DC and HF-Bereich unbedingt erforderlich.这是一张新的卡片和一张卡片。他说：“我的工作是错误的，统计的结果是错误的。”

Die Möglichkeit integrierte Strukturen, Bauelemente und Schaltungen charakterisieren zu können, ist Grundvoraussetzung für die Forschung auf dem Gebiet der Mikro- und Nanobauelemente sowie der integrierten analog und mixed-signal Schaltungstechnik. Das an der Professur zur Verfügung stehende Halbleitertestsystem mit 200 mm Waferprober (Anschaffung 1992) ist an seine Leistungsgrenzen gestoßen. Es gestattet nur DC-Messungen mit eingeschränkter, insbesondere für die Neuausrichtung des Forschungsprofils der Professur nicht genügenden Messmöglichkeiten und gleichzeitig unzureichender Messgenauigkeit. Die Charakterisierung von Schaltungen und Systemen ist mit dem bisherigen System nur statisch möglich. Eine Auswertung beispielsweise des Frequenz- und Rauschverhaltens kann mit diesem Messsystem nicht erfolgen. Neben den technischen Einschränkungen besteht zusätzlich ein Engpass an Messkapazität. Die zukünftig geplanten Forschungsprojekte sehen den Einsatz eines Halbleitertestsystems für unterschiedliche Anforderungen vor. Aus diesem Grund ist die Neuanschaffung eines halbautomatischen 300 mm Probersystems mit Messtechnik für die Bauelemente- und Schaltungscharakterisierung im DC und HF-Bereich unbedingt erforderlich. Neben der Messung über Probes kann gleichzeitig auch eine Probe-Card eingesetzt werden. Diese Kombination erlaubt Präzisionsmessungen an einzelnen Strukturen und statistische Auswertungen an ganzen Wafern.