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Waferspitzenmessplatz (Waferprober)

Waferspitzenmessplatz (Waferprober)
晶圆尖端测量站(晶圆探针台)
批准号:
262549524
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2014
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2013-12-31 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
德国波恩物理研究所Universität。德国科学与技术研究所,专门研究像素检测与ASIC芯片检测,德国工业与技术研究所(SiLAB)。Enge Zusammenarbeit mit der AG教授在selben研究所(gasgefllte Detektoren mit Pixelauslese)和weitere Zusammenarbeit mit anderen Gruppen der physics / astronomy存在。晶圆探测器bilden das zentrale Messinstrument f<e:1> r die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen(芯片)und teilchentektoren, bei denen dedizierte ASIC(专用集成电路)- Entwicklung eine groe Rolle spielt。晶圆片(以及在speziellen Trägern中的每一个vereinzelte芯片)将会在第一个测试中完成,在第一个测试中完成。电子工业模具技术有限公司。因此,我们将在10 Jahren die fzten 10 Jahren die f<s:1> r die akademische Forschung verf<s:1> gbare Strukturgrößen der CMOS Technologien von 250 nm auf 65 nm verkleinert和die Standardwafergröße von 20cm auf 30 cm vergrößert。Unsere existienden晶圆探测器(1倍手动,2倍自动),测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量,测量die maximale Wafergröße ist mit 20cm zu klein f<e:1> r die meisten晶圆采用65nm技术。Ein modernes Gerät ist fgr unserere Entwicklungen in 65nm technology and fgr monolithische Pixeldetektoren unbedingt erforderlich。
英文摘要
Beantragt wird ein Waferspitzenmessplatz (Waferprober) für das Physikalische Institut der Universität Bonn. Das Institut betreibt Forschung auf dem Gebiet der Detektorphysik, speziell Pixeldetektoren und ASIC Chip-Entwicklung, im Siliziumdetektorlabor (SiLAB) der Arbeitsgruppe Prof. Wermes. Enge Zusammenarbeit mit der AG Prof. Desch im selben Institut (gasgefüllte Detektoren mit Pixelauslese) und weitere Zusammenarbeit mit anderen Gruppen der Physik/Astronomie existieren. Waferprober bilden das zentrale Messinstrument für die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen (Chips) und Teilchendetektoren, bei denen dedizierte ASIC (Application Specific IC) - Entwicklung eine große Rolle spielt. Wafer (und auch vereinzelte Chips in speziellen Trägern) werden mit ihnen getestet, bevor sie weiter verarbeitet werden. Die Technologie-Entwicklungszyklen der Elektronikindustrie sind vergleichsweise kurz. So wurden in den letzten 10 Jahren die für die akademische Forschung verfügbare Strukturgrößen der CMOS Technologien von 250 nm auf 65 nm verkleinert und die Standardwafergröße von 20cm auf 30 cm vergrößert. Unsere existierenden Waferprober (1x manuell, 2x automatisch) sind mehr als 12 Jahre alt. Wartungsverträge können nicht mehr abgeschlossen werden und Ersatzteilgarantien sind abgelaufen; die maximale Wafergröße ist mit 20cm zu klein für die meisten Wafer in 65nm Technologie. Ein modernes Gerät ist für unsere Entwicklungen in 65 nm Technologie und für monolithische Pixeldetektoren unbedingt erforderlich.
期刊论文(5)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1088/1748-0221/10/11/c11002
发表时间: 2015-11
期刊: Journal of Instrumentation
影响因子: 1.3
作者: [C. Marinas]
通讯作者: C. Marinas
Characterization and beam test of the first full-sized DEPFET modules for the belle II pixel detector PXD
Belle II 像素探测器 PXD 的首款全尺寸 DEPFET 模块的表征和光束测试
DOI: 10.1109/nssmic.2016.8069721
发表时间:
期刊: 2016 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room-Temperature Semiconductor Detector Workshop (NSS/MIC/RTSD)
影响因子: --
作者: [B. Paschen]
通讯作者: B. Paschen
Recent Status of Front-end Electronics for DEPFET pixel detectors for Belle-II
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DOI: 10.22323/1.213.0181
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [T. Kishishita]
通讯作者: T. Kishishita
The Belle II DEPFET pixel detector
Belle II DEPFET 像素探测器
DOI: 10.1016/j.nima.2016.02.078
发表时间:
期刊: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment
影响因子: 1.4
作者: [H.G. Moser]
通讯作者: H.G. Moser
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