Waferspitzenmessplatz (Waferprober)
Waferspitzenmessplatz (Waferprober)
批准号:
262549524
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2014
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2013-12-31 至 --
中文摘要
Beantragt wird ein Waferspitzenmessplatz(Waferprober)für das Physikalische Institut der Universität Bonn. Wermes教授在硅探测实验室(SiLAB)从事探测物理学、像素探测和ASIC芯片开发等领域的研究。Enge Zusammenarbeit mit der AG Prof. Desch im selben Institut(gasgefüllte Detektoren mit Pixelauslese)und weitere Zusammenarbeit mit anderen Gruppen der Physik/Astronomie Eschertieren. Waferprober bilden das zentrale Messinstrument für die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen(Chips)und Teilchendetektoren,bei denen dedizierte ASIC(Application Specific IC)- Entwicklung eine große Rolle spielt.晶片(和其他特殊的芯片)韦尔登与他们一起测试,但他们还是韦尔登。电子工业的技术开发非常迅速。因此,在近10年内,CMOS技术的结构研究将从250 nm发展到65 nm,标准晶圆的结构将从20 cm发展到30 cm。我们的晶片探针(1个手动,2个自动)已经有梅尔12年了。Wartungsverträge können nicht梅尔更多的abgeschlossen韦尔登和Ersatzteilgarantien sind abgelaufen;最大的晶片尺寸是20 cm zu klein für die meisten Wafer in 65 nm Technology。Ein modernes Gerät ist für unsere Entwicklungen in 65 nm Technologie und für monolithische Pixeldetektoren unbedingt erforderlich.
英文摘要
Beantragt wird ein Waferspitzenmessplatz (Waferprober) für das Physikalische Institut der Universität Bonn. Das Institut betreibt Forschung auf dem Gebiet der Detektorphysik, speziell Pixeldetektoren und ASIC Chip-Entwicklung, im Siliziumdetektorlabor (SiLAB) der Arbeitsgruppe Prof. Wermes. Enge Zusammenarbeit mit der AG Prof. Desch im selben Institut (gasgefüllte Detektoren mit Pixelauslese) und weitere Zusammenarbeit mit anderen Gruppen der Physik/Astronomie existieren. Waferprober bilden das zentrale Messinstrument für die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen (Chips) und Teilchendetektoren, bei denen dedizierte ASIC (Application Specific IC) - Entwicklung eine große Rolle spielt. Wafer (und auch vereinzelte Chips in speziellen Trägern) werden mit ihnen getestet, bevor sie weiter verarbeitet werden. Die Technologie-Entwicklungszyklen der Elektronikindustrie sind vergleichsweise kurz. So wurden in den letzten 10 Jahren die für die akademische Forschung verfügbare Strukturgrößen der CMOS Technologien von 250 nm auf 65 nm verkleinert und die Standardwafergröße von 20cm auf 30 cm vergrößert. Unsere existierenden Waferprober (1x manuell, 2x automatisch) sind mehr als 12 Jahre alt. Wartungsverträge können nicht mehr abgeschlossen werden und Ersatzteilgarantien sind abgelaufen; die maximale Wafergröße ist mit 20cm zu klein für die meisten Wafer in 65nm Technologie. Ein modernes Gerät ist für unsere Entwicklungen in 65 nm Technologie und für monolithische Pixeldetektoren unbedingt erforderlich.
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DOI:
10.1088/1748-0221/10/11/c11002
发表时间:
2015-11
期刊:
Journal of Instrumentation
影响因子:
1.3
作者:
[C. Marinas]
通讯作者:
C. Marinas
Characterization and beam test of the first full-sized DEPFET modules for the belle II pixel detector PXD
Belle II 像素探测器 PXD 的首款全尺寸 DEPFET 模块的表征和光束测试
DOI:
10.1109/nssmic.2016.8069721
发表时间:
期刊:
2016 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room-Temperature Semiconductor Detector Workshop (NSS/MIC/RTSD)
影响因子:
--
作者:
[B. Paschen]
通讯作者:
B. Paschen
Recent Status of Front-end Electronics for DEPFET pixel detectors for Belle-II
Belle-II DEPFET 像素探测器前端电子器件的最新状态
DOI:
10.22323/1.213.0181
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Kishishita]
通讯作者:
T. Kishishita
The Belle II DEPFET pixel detector
Belle II DEPFET 像素探测器
DOI:
10.1016/j.nima.2016.02.078
发表时间:
期刊:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment
影响因子:
1.4
作者:
[H.G. Moser]
通讯作者:
H.G. Moser
The ultralight DEPFET pixel detector of the Belle II experiment
Belle II 实验的超轻 DEPFET 像素探测器
DOI:
10.1016/j.nima.2016.06.114
发表时间:
期刊:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment
影响因子:
1.4
作者:
[F. Lütticke]
通讯作者:
F. Lütticke
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