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Verstärkung von THz-Strahlung in Halbleiter-Übergittern

Verstärkung von THz-Strahlung in Halbleiter-Übergittern
半导体超晶格中太赫兹辐射的放大
批准号:
14230493
负责人:
Professor Dr. Hartmut G. Roskos
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2005-12-31

项目摘要

项目成果

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Es geht um die Detektion von Verstärkung von Strahlung im Terahertz-(THz-)Frequenzbereich optisch bzw. elektrisch gepumpten Halbleiter-Übergittern. Dabei sollen zwei Arten von Verstärkung untersucht werden. Zum einen will ich eine Vorhersage von Prof. M. Dignam experimentell verifizieren, nach der für Halbleiter-Übergitter eine beträchtliche Verstärkbarkeit von THz-Strahlung in optisch angeregten Übergittern aufgrund eines rein exzitonischen Effektes möglich sein sollte: nach Dignam hebt die Coulomb-Wechselwirkung die energetische Entartung von Intrabband-Wannier-Stark-Übergängen auf und lässt in bestimmten Frequenzbereichen Verstärkung, in anderen Absorption entstehen. Zum zweiten will ich Messungen an elektrisch gepumpten Übergitterstrukturen vornehmen, um die sogenannte Bloch-Verstärkung, einen Mechanismus unter Beteiligung von Phonon-Streuung zu untersuchen. Dieses Vorhaben bettet sich in eine zur Zeit weltweit erfolgende, intensive Suche nach kompakten Quellen für abstimmbare THz-Strahlung ein. In meinem Labor ebenso wie in Santa Barbara konzentriert sich die Forschung auf Übergitterstrukturen. Unser Hauptkandidat zum Bau einer THz-Quelle, die insbesondere auch bei Raumtemperaturen funktionieren sollte, ist die Bloch-Verstärkung (zu der die besten verfügbaren experimentellen Daten weltweit vom CTST, Santa Barbara, stammen, also dem Institut, an dem ich im Sommersemester forschen will). Von großem Interesse ist daneben auch die Dignamsche Verstärkung, v.a. weil die bisher nicht vorhergesagte Coulomeffekte im Leitungsband zur Grundlage hat. Die Dignamsche Verstärkung sollte bei tiefen Temperaturen noch größer sein als die Bloch-Verstärkung, allerdings zur Raumtemperatur weitgehend verschwinden. Es ist nun das wissenschaftliche Ziel, diese Arten von Verstärkung unter Verwendung des THz-Freien-Elektronen-Lasers in Santa Barbara in geeigneten Halbleiterstrukturen zu beobachten und zwischen den beiden Arten von Verstärkung zu unterscheiden. Mit Prof. Dignam besteht auf theoretischer Seite eine Zusammenarbeit zum Thema.
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会议论文
Terahertz measurement system based on frequency-selective detector chips for inline industrial monitoring
  • 批准号:
    426328798
  • 项目类别:
    Research Grants (Transfer Project)
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
Nonlinear dynamics of impurity states in semiconductors driven by intense THz pulses
  • 批准号:
    411486076
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
Frequenzverschiebung von THz-Pulsen durch den relativistischen Dopplereffekt an einer wandernden Plasmafront
  • 批准号:
    221030553
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
Direct THz-wave generation in a dual-color near-IR semiconductor laser
  • 批准号:
    52302596
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
海外基金