Verstärkung von THz-Strahlung in Halbleiter-Übergittern
Verstärkung von THz-Strahlung in Halbleiter-Übergittern
批准号:
14230493
负责人:
Professor Dr. Hartmut G. Roskos
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2005-12-31
中文摘要
在太赫兹-(THz-)超频光学bzw中,我们得到了一种超频探测方法Verstärkung。elektrisch gepumpten Halbleiter-Übergittern大北sollen zwei Arten von Verstärkung untersucht werden。Zum einen将ich eine Vorhersage von M. Dignam实验与验证,nach der f<s:1> r Halbleiter-Übergitter eine beträchtliche Verstärkbarkeit von THz-Strahlung in optisch angeregten Übergittern aufgrund eines rein exzitonischen Effektes möglich sein solte: nach Dignam hebt die coulomb - wehselwirkung die energetische Entartung von Intrabband-Wannier-Stark-Übergängen auf und lässt in bestimten Frequenzbereichen Verstärkung, in anderen Absorption entstehen。Zum zweiten将ich Messungen和eletrisch gepumpten Übergitterstrukturen vornehmen, um die sogenannte Bloch-Verstärkung, en Mechanismus unteteiligung von Phonon-Streuung zutersuchen。在德国,德国人认为这是一种很好的学习方式,这是一种很好的学习方式。在圣芭芭拉,在meinem工党,我们在圣巴巴拉konzentriert sich die Forschung auf Übergitterstrukturen。Unser hauptkandiat zum Bau einer THz-Quelle, die insbesonere auch bei Raumtemperaturen funktionien solte, ist die Bloch-Verstärkung (zu der die besten vertemperature experimentellen Daten weltweit from CTST, Santa Barbara, stammen, also dem institute, and dem ich in Sommersemester forschen will)。Von groß ßem Interesse ist daneben auch die Dignamsche Verstärkung, va . we ' l die bisher晚上vorhergesagte Coulomeffekte在Leitungsband zur Grundlage hat。Die Dignamsche Verstärkung sollte bei tiefen Temperaturen noch größer sein als Die Bloch-Verstärkung, allerdings zur raumtemperature weitgehend verschwinden。Es是修女das wissenschaftliche ziel4,这Arten冯Verstarkung unt Verwendung des THz-Freien-Elektronen-Lasers在圣巴巴拉geeigneten Halbleiterstrukturen祖茂堂beobachten和说是窝beiden Arten冯Verstarkung祖茂堂unterscheiden。麻省理工学院教授迪格纳姆(Dignam)是最优秀的理论学家,他的研究成果是:
英文摘要
Es geht um die Detektion von Verstärkung von Strahlung im Terahertz-(THz-)Frequenzbereich optisch bzw. elektrisch gepumpten Halbleiter-Übergittern. Dabei sollen zwei Arten von Verstärkung untersucht werden. Zum einen will ich eine Vorhersage von Prof. M. Dignam experimentell verifizieren, nach der für Halbleiter-Übergitter eine beträchtliche Verstärkbarkeit von THz-Strahlung in optisch angeregten Übergittern aufgrund eines rein exzitonischen Effektes möglich sein sollte: nach Dignam hebt die Coulomb-Wechselwirkung die energetische Entartung von Intrabband-Wannier-Stark-Übergängen auf und lässt in bestimmten Frequenzbereichen Verstärkung, in anderen Absorption entstehen. Zum zweiten will ich Messungen an elektrisch gepumpten Übergitterstrukturen vornehmen, um die sogenannte Bloch-Verstärkung, einen Mechanismus unter Beteiligung von Phonon-Streuung zu untersuchen. Dieses Vorhaben bettet sich in eine zur Zeit weltweit erfolgende, intensive Suche nach kompakten Quellen für abstimmbare THz-Strahlung ein. In meinem Labor ebenso wie in Santa Barbara konzentriert sich die Forschung auf Übergitterstrukturen. Unser Hauptkandidat zum Bau einer THz-Quelle, die insbesondere auch bei Raumtemperaturen funktionieren sollte, ist die Bloch-Verstärkung (zu der die besten verfügbaren experimentellen Daten weltweit vom CTST, Santa Barbara, stammen, also dem Institut, an dem ich im Sommersemester forschen will). Von großem Interesse ist daneben auch die Dignamsche Verstärkung, v.a. weil die bisher nicht vorhergesagte Coulomeffekte im Leitungsband zur Grundlage hat. Die Dignamsche Verstärkung sollte bei tiefen Temperaturen noch größer sein als die Bloch-Verstärkung, allerdings zur Raumtemperatur weitgehend verschwinden. Es ist nun das wissenschaftliche Ziel, diese Arten von Verstärkung unter Verwendung des THz-Freien-Elektronen-Lasers in Santa Barbara in geeigneten Halbleiterstrukturen zu beobachten und zwischen den beiden Arten von Verstärkung zu unterscheiden. Mit Prof. Dignam besteht auf theoretischer Seite eine Zusammenarbeit zum Thema.
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会议论文
Terahertz measurement system based on frequency-selective detector chips for inline industrial monitoring
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批准号:426328798
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项目类别:Research Grants (Transfer Project)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2019
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:411486076
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2018
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:221030553
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2012
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:52302596
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2007
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
Effiziente CW-THz Quellen basierend auf Photomischung in asymmetrischen Übergitterstrukturen
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批准号:5424515
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2004
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
Der Kohärente Hall-Effekt im Halbleiterübergitter: Untersuchung von Felddynamik und Vielteilcheneffekte
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批准号:5407792
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2003
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:5372866
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2002
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
Zentralprojekt
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批准号:5297554
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:5297548
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:5203922
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2000
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:5189234
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:5393310
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1997
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:5231168
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1995
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:469064321
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:--
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
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批准号:442393838
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:452627280
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项目类别:Research Grants
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:468734522
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:399177913
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:530304953
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:--
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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依托单位:
海外基金