Direct THz-wave generation in a dual-color near-IR semiconductor laser
Direct THz-wave generation in a dual-color near-IR semiconductor laser
批准号:
52302596
负责人:
Professor Dr. Hartmut G. Roskos
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2006-12-31 至 2011-12-31
中文摘要
从纳欣法罗到纳欣法罗腾,我们将从纳欣法罗发射出Zweifarben-Halbleiterlasern beruht。激光的频率不同,不同的频率和频率不同,甚至激光本身也不能满足不同的需求。他说:1.我不知道怎么回事。)Das Mischen im aktiven激光器/Verstärker stellt eine Hohe LaserFeldstärke Sicher;3)在多量子熵下的激光/垂直优化的功能工程中,MIT DEM Inversen Fotostromeffekt verversen Fotostromeffekt Verundene Nichtliniität,Dif auf der Schweung der Laserstrahung Zeitlich模块;以及Alle Nichtlinine itäten de Bisher in Necht-lasereraktiven Medien unzugängliche,MIT Inversen Fotostromeffekt t Verstärkers;Die Weechselwirkungslänge(Kohärenzlänge)将持续最优的Phasenanpassung max iert;und 4.)对太赫兹-斯特拉赫龙的吸收不同于其他类型的材料,也不同于其他类型的材料。Das Ziel-Bauement emittiert还将其imNahinfraroten和Gleichzeitig放在修道者Weise im Frequenzbereich von 1-5 THz中。Für die erreichbaar THZ-Strahlleistung ergibt eine vorsichtige Abschätzung einen Wert³20μW,它的柴油发射器没有它的Einer der ffizientesten Dauerstrahquellen für Thz-Strahung vom Fotomischertyp wäre。从理论上讲,这是一种新的理论。在太赫兹-斯特拉隆达的Erzeugung和Sondern kann vielmehr für在太赫兹-斯特拉隆达的探测中,从太赫兹-斯特拉隆德的电光系统中找到了一种新的方法。这是一个1.55毫米口径的红外激光发射机。这个人死了,这是一台激光/小车--设计就是为了让所有人都知道。Zusätzlich zur THz-Strahlerzeugung Wollow Wire De Straktrooptische Detektion der Strahsolon Verwendung von GaAs-Einkristallen unterushen.从L的角度出发,我们发现了一种新的高性能的砷化镓薄膜,它的尺寸为1.55 mm。我们是一家专业生产激光打印机的厂家。在Der Zweiten相Sol Dann auf elektrisches Pumpenubergegangen。
英文摘要
Es soll eine Raumtemperatur-Quelle für THz-Strahlung entwickelt werden, die auf im Nahinfraroten emittierenden Zweifarben-Halbleiterlasern beruht. Die Schwebung der Laserstrahlung führt durch Differenzfrequenzerzeugung zu Strahlung im THz-Frequenzbereich, wobei der Mischprozess entweder im aktiven Laser selbst oder in einer nachgenschalteten optischen Halbleiter-Verstärkerstruktur erfolgt. Eine hohe Konversionseffizienz soll durch die Kombinationen der folgenden Maßnahmen erreicht werden: 1.) Das Mischen im aktiven Laser/ Verstärker stellt eine hohe Laserfeldstärke sicher; 2.) Es sollen sowohl die passiven optischen Nichtlinearitäten genutzt werden als auch die bisher in nicht-laseraktiven Medien unzugängliche, mit dem Inversen Fotostromeffekt verbundene Nichtlinearität, die auf der mit der Schwebung der Laserstrahlung zeitlich modulierten Rekombination der Ladungsträger beruht; alle Nichtlinearitäten werden durch Wavefunction Engineering der Multiquantentrog-Strukturen des Lasers/Verstärkers optimiert; 3.) die Wechselwirkungslänge (Kohärenzlänge) wird durch Optimierung der Phasenanpassung maximiert; und 4.) Absorptionsverluste der THz- Strahlung durch freie Ladungsträger werden durch die gewählten Vorgehensweisen bei der Ladungsträgerinjektion, die die Verwendung undotierter Substrate erlauben, sehr gering genhalten. Das Ziel-Bauelement emittiert also einerseits im Nahinfraroten und gleichzeitig in abstimmbarer Weise im Frequenzbereich von 1-5 THz. Für die erreichbare THz-Strahlleistung ergibt eine vorsichtige Abschätzung einen Wert ³ 20 μW, womit dieser Emitter bereits einer der effizientesten Dauerstrichquellen für THz-Strahlung vom Fotomischertyp wäre. Die theoretische Grenze für die Ausgangsleistung liegt noch wesentlich darüber. Die Laserstrahlung im Nahinfraroten stellt kein “Abfallprodukt” der Erzeugung der THz- Strahlung dar, sondern kann vielmehr für die hochempfindliche kohärente Detektion der THz- Strahlung auf fotokonduktivem oder elektrooptischem Wege bei Raumtemperatur verwendet werden. Die Betriebswellenlängen des Nahinfrarotlasers sollen im Telekommunikationsfenster um 1.55 mm liegen. Um dies zu erreichen, ist das Laser/Mischer-Design durch geeignete Maßnahmen entsprechend anzupassen. Zusätzlich zur THz-Strahlerzeugung wollen wir die elektrooptische Detektion der Strahlung unter Verwendung von GaAs-Einkristallen untersuchen. GaAs bietet bei Wellenlängen um l = 1.55 mm sehr gute Möglichkeiten der Phasenanpassung für die optischen und die THz-Wellen sowie sehr geringe Verluste in beiden Spektralbereichen. Wir streben für die ersten drei Projektjahre das optische Pumpen des Lasers an. In der zweiten Phase soll dann auf elektrisches Pumpen übergegangen werden.
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会议论文
Terahertz measurement system based on frequency-selective detector chips for inline industrial monitoring
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批准号:426328798
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资助金额:$0.0万
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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项目类别:Research Grants
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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项目类别:Research Grants
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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批准号:5297554
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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负责人:Professor Dr. Hartmut G. Roskos
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